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J-GLOBAL ID:201403019214845405
周期構造を有するマイクロプレートおよびそれを用いた表面プラズモン励起増強蛍光顕微鏡または蛍光マイクロプレートリーダー、並びに検出方法
Inventor:
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Applicant, Patent owner:
Agent (1):
特許業務法人三枝国際特許事務所
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2013258879
Publication number (International publication number):2014081385
Application date: Dec. 16, 2013
Publication date: May. 08, 2014
Summary:
【課題】既存の蛍光顕微鏡や蛍光マイクロプレートリーダーを利用することで、単純な光学系で操作が簡便な、高感度蛍光検出を実現できる低価格の表面プラズモン励起増強蛍光顕微鏡および蛍光マイクロプレートリーダーを提供する。【解決手段】観測対象の試料(A)を搭載するマイクロプレート(4)は、表面に周期構造を有するベース基板と、ベース基板の周期構造の上に形成された金属層と、金属層の上に形成された保護層とを備え、金属層が、表面プラズモンを発生し得る金属で形成され、マイクロプレート(4)の保護層側(7)から光(L)を入射させて表面プラズモン共鳴光を発生させるプレートであり、光(L)の入射角度が、プリズムによって屈曲されなくても、マイクロプレート(4)に入射可能な角度であり、かつ、表面プラズモン共鳴光が発生する程度に小さい角度である。【選択図】図1
Claim (excerpt):
蛍光顕微鏡または蛍光マイクロプレートリーダーにおいて使用され、観測対象の試料を搭載して、表面プラズモン励起による増強蛍光を検出するためのマイクロプレートであって、
表面に周期構造を有するベース基板と、
前記周期構造の上に形成された金属層と、
前記金属層の上に形成された保護層とを備え、
前記周期構造が一方向に沿って形成された複数の溝部を備え、前記金属層が表面にスロープを有し、前記金属層が、伝播型の表面プラズモン共鳴光を発生し得る金属で形成され、
前記マイクロプレートの前記保護層側から光を入射させて、前記表面プラズモン共鳴光によって増強された電場を発生させるステップと、
発生させた前記電場を蛍光分子の励起場として、前記増強蛍光を、前記ベース基板側または前記保護層側のいずれかから検出するステップとを含む方法により、前記マイクロプレートからの前記増強蛍光が検出され、
前記保護層側から入射される前記光の入射方向と、前記保護層の前記光が入射される平面の垂線とがなす角度が、前記光が屈曲手段によって屈曲されなくても、前記マイクロプレートに入射可能な角度であり、かつ、前記表面プラズモン共鳴光が発生する程度に小さい角度であることを特徴とするマイクロプレート。
IPC (2):
FI (3):
G01N21/64 G
, G01N21/64 E
, G01N21/01 B
F-Term (25):
2G043AA01
, 2G043CA03
, 2G043EA01
, 2G043GA03
, 2G043GA07
, 2G043GA08
, 2G043GB01
, 2G043GB05
, 2G043GB16
, 2G043JA01
, 2G043LA01
, 2G059AA01
, 2G059BB04
, 2G059DD12
, 2G059EE02
, 2G059EE04
, 2G059EE07
, 2G059FF01
, 2G059FF03
, 2G059HH02
, 2G059JJ11
, 2G059JJ17
, 2G059JJ19
, 2G059JJ30
, 2G059KK04
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (8)
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ナノ構造化基体の光学的画像化
Gazette classification:公表公報
Application number:特願2003-578914
Applicant:ウイスコンシンアラムニリサーチファンデーション
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化学センサ、化学センサ装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2003-177911
Applicant:キヤノン株式会社
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蛍光検出方法及び装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2002-217777
Applicant:株式会社島津製作所
-
表面プラズモン共鳴センサ用チップ
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2005-128260
Applicant:東洋紡績株式会社
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被測定物質の荷電を分析する方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2005-279108
Applicant:富士フイルム株式会社
-
特表昭62-500736
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表面プラズモン共鳴センサチップ、並びにそれを用いた試料の分析方法及び分析装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2002-226574
Applicant:三菱化学株式会社
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表面プラズモン共鳴(SPR)検出用の新規チップ
Gazette classification:公表公報
Application number:特願2008-532776
Applicant:サントル・ナシオナル・ドゥ・ラ・ルシェルシュ・シアンティフィーク(セーエヌエールエス)
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Article cited by the Patent:
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