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J-GLOBAL ID：201403020782748609
基板の接合方法及び電子部品のパッケージ
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
平山 一幸
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2012289270
Publication number (International publication number)：2014130981
Application date： Dec. 30, 2012
Publication date： Jul. 10, 2014
Summary：
【課題】簡単な構成により室温を含む温度範囲で、また超高真空や高度平坦性を必要とせずに、異種基板の接合をも可能にした、基板の接合方法及び電子部品のパッケージを提供する。【解決手段】第一の基板上に、密着層12及びAu薄膜13を形成する第一段階、パターンマスク15を形成する第二段階、パターンマスクの上からAu合金16を電解メッキで形成する第三段階、パターンマスクを除去する第四段階、第一の基板上に残ったAu以外の金属成分を除去してAu合金をナノポーラスAu14とする第五段階、表面を表面処理により活性化する第六段階、第二の基板20上に、Au薄膜21又はナノポーラスAuを形成し活性化する第七段階、第一の基板及び第二の基板を対向させて、第一の基板上のナノポーラスAu14を第二の基板上のAu薄膜21又はナノポーラスAuの表面に当接させた状態で室温を含む温度範囲で加圧する第八段階と、により基板を接合する。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
第一の基板を、第二の基板に接合するための基板接合方法において、
前記第一の基板上に、密着層及びAu薄膜を形成する第一の段階と、
前記第一の基板上に、パターンマスクを形成する第二の段階と、
前記第一の基板上に、前記パターンマスクの上からAu合金を電解メッキにより形成する第三の段階と、
前記第一の基板上から前記パターンマスクを除去する第四の段階と、
前記第一の基板上に残ったAu合金のAu以外の金属成分を選択的に除去して、Au合金をナノポーラスAuとする第五の段階と、
前記第一の基板の表面を表面処理により活性化する第六の段階と、
前記第二の基板上に、Au薄膜又はナノポーラスAuを形成して表面を活性化する第七の段階と、
前記第一の基板及び前記第二の基板を対向させて、前記第一の基板上のナノポーラスAuを第二の基板上のAu薄膜又はナノポーラスAuに当接させた状態で室温を含む温度範囲にて加圧する第八の段階と、
を含んでいることを特徴とする、基板の接合方法。
IPC (2)：
FI (2)：
H01L21/60 311Q
, H05K3/36 A
5E344AA22
, 5E344BB02
, 5E344BB06
, 5E344BB08
, 5E344BB20
, 5E344CC23
, 5E344DD08
, 5E344EE16
, 5E344EE21
, 5F044KK04
, 5F044KK11
, 5F044LL01
, 5F044LL05
, 5F044QQ03
, 5F044QQ04
Cited by examiner (2)
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接合方法及び接合構造
Gazette classification：公開公報
Application number：特願2005-012397
Applicant：日産自動車株式会社
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多孔質金属を電気的接続に用いたデバイス、及び配線接続方法
Gazette classification：公開公報
Application number：特願2010-189433
Applicant：国立大学法人東北大学, ニッコー株式会社, 田中貴金属工業株式会社
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