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J-GLOBAL ID：201203056060912323

多孔質金属を電気的接続に用いたデバイス、及び配線接続方法

Inventor： 田中 秀治 ,  福士 秀幸 ,  江刺 正喜 ,  毛利 護 ,  中村 大輔 ,  岡田 厚志 ,  小柏 俊典 ,  西森 尚 ,  田中 克尚 ,  草森 裕之
Applicant, Patent owner： 国立大学法人東北大学 ,  ニッコー株式会社 ,  田中貴金属工業株式会社
Agent (2)： 大家 邦久 ,  林 篤史
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2010189433
Publication number (International publication number)：2012049298
Application date： Aug. 26, 2010
Publication date： Mar. 08, 2012
Summary：

【課題】デバイス構造が形成された基板と、これを封止する基板を陽極接合する際に電気的な接続を確実に行うことができる配線接続方法を提供する。【解決手段】第1の基板40と第2の基板45とが陽極接合され、かつ前記第1の基板と前記第2の基板とが、純度99.9質量%以上で、平均粒径0.005μm〜1.0μmの金、銀、白金及びパラジウムから選択される1種以上の金属からなる多孔質金属51,52を介して電気的に接続されたデバイス4、及び第1の基板の接続電極部及び第2の基板の接続電極部の少なくとも一方に多孔質金属(バンプ)を形成し、前記第1及び第2基板の接続電極部同士がバンプを挟んで対向するように前記第1及び第2基板を重ね合わせた後、両基板を陽極接合すると同時に多孔質金属を介して前記第1及び第2基板の接続電極部間を電気的に接続する配線接続方法。【選択図】図5

Claim (excerpt)：

第1の基板と第2の基板とが陽極接合され、かつ前記第1の基板と前記第2の基板とが多孔質金属を介して電気的に接続されたデバイス。

IPC (3)：

H01L 23/02 ,  B81B 3/00 ,  B81C 3/00

FI (3)：

H01L23/02 J ,  B81B3/00 ,  B81C3/00

F-Term (9)：

3C081AA01 ,  3C081AA17 ,  3C081BA30 ,  3C081BA43 ,  3C081BA48 ,  3C081CA32 ,  3C081CA33 ,  3C081DA27 ,  3C081EA23

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• スイッチとその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2007-316901   Applicant：パナソニック株式会社
• 接合方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2006-156085   Applicant：田中貴金属工業株式会社
• 電子部品および電子部品の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2006-316202   Applicant：新光電気工業株式会社