磁気抵抗デバイス

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：特許業務法人浅村特許事務所
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2010223722
Publication number (International publication number)：2011097046
Patent number：5632694
Application date： Oct. 01, 2010
Publication date： May. 12, 2011
Claim (excerpt)：

【請求項1】表面を有する基板と、細長半導体チャネルと、該チャネルへの接点の組を提供する少なくとも2つの導電性リードを含む磁気抵抗デバイスであって、前記チャネルは前記表面上に形成されて第一方向に伸びており、前記2つの導電性リードは前記チャネルと前記接点の組で接し、かつ前記第一方向に対して垂直方向に配置されており、前記チャネルと前記少なくとも2つの導電性リードとは、前記第一方向と前記表面とに垂直な第二方向に前記基板に対して積重ねられ、前記磁気抵抗デバイスは、前記チャネルに沿って前記第一方向と前記第二方向に平行な側面を有し、該側面に対し略垂直な方向の磁場に対して反応することを特徴とする磁気抵抗デバイス。

IPC (3)：

H01L 43/08 ( 200 6.01) , H01L 43/12 ( 200 6.01) , G11B 5/39 ( 200 6.01)

FI (4)：

H01L 43/08 S , H01L 43/08 Z , H01L 43/12 , G11B 5/39

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (6)

磁気抵抗装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2007-067868 Applicant：株式会社日立製作所
交換結合された反強磁性/強磁性構造による垂直磁気バイアスを有する異常磁気抵抗センサ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2005-184574 Applicant：ヒタチグローバルストレージテクノロジーズネザーランドビーブイ
不均一ナローギャップ半導体の室温における極超巨大磁気抵抗
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-364845 Applicant：日本電気株式会社

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Cited by examiner (4)

磁気抵抗装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2007-067868 Applicant：株式会社日立製作所
交換結合された反強磁性/強磁性構造による垂直磁気バイアスを有する異常磁気抵抗センサ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2005-184574 Applicant：ヒタチグローバルストレージテクノロジーズネザーランドビーブイ
不均一ナローギャップ半導体の室温における極超巨大磁気抵抗
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-364845 Applicant：日本電気株式会社

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