ベンゼン誘導体の製造方法及びそれに有用なシクロヘキセン誘導体の製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2006290467
Publication number (International publication number)：2008106004
Patent number：5417597
Application date： Oct. 25, 2006
Publication date： May. 08, 2008
Claim (excerpt)：

【請求項1】下記一般式(4)で表されるジエンを、ルテニウムもしくはモリブデン触媒の存在下で反応させて下記一般式(5)で表されるシクロヘキセン誘導体を製造する方法。 (式中、R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9、およびR10はそれぞれ互いに独立し、同一または異なって、水素原子;置換基を有していてもよいC1〜C20炭化水素基;置換基を有していてもよいC1〜C20アルコキシ基;置換基を有していてもよいC6〜C20アリ-ルオキシ基;置換基を有していてもよいアミノ基;置換基を有していてもよいシリル基;置換基を有していてもよいアルキルチオ基(-SY1、式中、Y1は置換基を有していてもよいC1〜C20アルキル基を示す。);置換基を有していてもよいアリ-ルチオ基(-SY2、式中、Y2は置換基を有していてもよいC6〜C20アリ-ル基を示す。);置換基を有していてもよいアルキルスルホニル基(-SO2Y3、式中、Y3は置換基を有していてもよいC1〜C20アルキル基を示す。);置換基を有していてもよいアリ-ルスルホニル基(-SO2Y4、式中、Y4は置換基を有していてもよいC6〜C20アリ-ル基を示す。);水酸基;又はハロゲン原子であり、ただし、R1及びR2、R3及びR4、R4及びR5、R5及びR6、R6及びR7、R7及びR8、R9及びR10は、それぞれ、互いに架橋してC4〜C10飽和環又は不飽和環を形成してもよく、前記環は、酸素原子、硫黄原子、珪素原子、スズ原子、ゲルマニウム原子又は式-N(B)-で示される基(式中、Bは水素原子又はC1〜C10炭化水素基である。)で中断されていてもよく、かつ、置換基を有していてもよい。) (式中、L1、およびL2はそれぞれ互いに独立し、同一または異なって、置換基を有していてもよいC1〜C20アルコキシ基;置換基を有していてもよいC6〜C20アリ-ルオキシ基;置換基を有していてもよいアミノ基;置換基を有していてもよいアルキルチオ基(-SY1、式中、Y1は置換基を有していてもよいC1〜C20アルキル基を示す。);置換基を有していてもよいアリ-ルチオ基(-SY2、式中、Y2は置換基を有していてもよいC6〜C20アリ-ル基を示す。);水酸基;又はハロゲン原子である。) (式中、R3、R4、R5、R6、R7、R8、L1、およびL2は前記と同じ意味を表す。)

IPC (18)：

C07C 29/00 ( 200 6.01) , C07C 45/67 ( 200 6.01) , C07C 37/07 ( 200 6.01) , C07C 39/15 ( 200 6.01) , C07C 35/21 ( 200 6.01) , C07C 67/293 ( 200 6.01) , C07F 7/18 ( 200 6.01) , B01J 31/24 ( 200 6.01) , C07C 49/747 ( 200 6.01) , C07C 49/753 ( 200 6.01) , C07C 49/713 ( 200 6.01) , C07C 49/733 ( 200 6.01) , C07C 49/743 ( 200 6.01) , C07C 39/06 ( 200 6.01) , C07C 39/17 ( 200 6.01) , C07C 41/26 ( 200 6.01) , C07C 43/178 ( 200 6.01) , C07B 61/00 ( 200 6.01)

FI (18)：

C07C 29/00 , C07C 45/67 , C07C 37/07 , C07C 39/15 , C07C 35/21 , C07C 67/293 , C07F 7/18 D , B01J 31/24 Z , C07C 49/747 B , C07C 49/753 A , C07C 49/713 , C07C 49/733 , C07C 49/743 B , C07C 39/06 , C07C 39/17 , C07C 41/26 , C07C 43/178 A , C07B 61/00 300

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (9)

光学活性シクロヘキセン化合物の製造法及びこの製造に用いる光学活性シクロヘキセン誘導体
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-058102 Applicant：佐藤史衛, 日産化学工業株式会社
1,2,3,4-テトラヒドロキシベンゼンの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-026930 Applicant：北興化学工業株式会社, 財団法人微生物化学研究会
α-置換環系の合成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-241369 Applicant：バイエル・アクチエンゲゼルシヤフト

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Cited by examiner (12)

光学活性シクロヘキセン化合物の製造法及びこの製造に用いる光学活性シクロヘキセン誘導体
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-058102 Applicant：佐藤史衛, 日産化学工業株式会社
1,2,3,4-テトラヒドロキシベンゼンの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-026930 Applicant：北興化学工業株式会社, 財団法人微生物化学研究会
α-置換環系の合成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-241369 Applicant：バイエル・アクチエンゲゼルシヤフト

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Article cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

日本化学会講演予稿集,, 20050311, Vol.85th, No.2,, Page.892
日本化学会講演予稿集,, 20060313, Vol.86th, No.2,, Page.983
Helvetica Chimica Acta, 1976, 59(6), p.2012-2020

Cited by examiner (5)

Helvetica Chimica Acta, 1976, 59(6), p.2012-2020
日本化学会講演予稿集,, 20050311, Vol.85th, No.2,, Page.892
日本化学会講演予稿集,, 20050311, Vol.85th, No.2,, Page.892

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