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J-GLOBAL ID：201403034242233023

イオンビーム照射装置及びイオンビーム発散抑制方法

Inventor： ニコラエスク ダン ,  酒井 滋樹 ,  石川 順三 ,  後藤 康仁
Applicant, Patent owner： 日新イオン機器株式会社 ,  国立大学法人京都大学
Agent (2)： 西村 竜平 ,  齊藤 真大
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2011518362
Patent number：5634992
Application date： Apr. 27, 2010
Claim (excerpt)：

【請求項1】 イオンビームをターゲットに照射するイオンビーム照射装置であって、 正イオンからなるイオンビームを生成するイオン源と、 前記イオン源及び前記ターゲットの間に設けられ、前記イオン源から出たイオンビームをターゲットに照射するために偏向、収束又は発散させる1又は複数の磁石と、 電子を生成する1又は複数の電子源と、を備え、 前記電子源が、前記磁石のイオンビーム上流側及び/又は下流側に形成される磁場勾配領域内に配置され、且つ、前記イオンビームが通過する領域外に配置されるとともに、 前記電子源の電子射出方向が、前記磁場勾配領域に電子が供給されるように向けられて、前記電子源から射出された電子が、前記磁場勾配領域における前記イオンビームと交わる領域に供給されることを特徴とするイオンビーム照射装置。

IPC (2)：

H01J 37/317 ( 200 6.01) ,  H01L 21/265 ( 200 6.01)

FI (2)：

H01J 37/317 Z ,  H01L 21/265 603 B

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

• イオンビーム照射装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-051106   Applicant：日新電機株式会社
• イオン注入装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-309287   Applicant：日新電機株式会社
• イオンビーム照射装置および半導体デバイスの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2006-162394   Applicant：国立大学法人京都大学, 日新イオン機器株式会社

Cited by examiner (3)

• イオンビーム照射装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-051106   Applicant：日新電機株式会社
• イオン注入装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-309287   Applicant：日新電機株式会社
• イオンビーム照射装置および半導体デバイスの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2006-162394   Applicant：国立大学法人京都大学, 日新イオン機器株式会社