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J-GLOBAL ID：200903049410142842
イオンビーム照射装置および半導体デバイスの製造方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
,
Agent (1)：
山本 恵二
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006162394
Publication number (International publication number)：2007335110
Application date： Jun. 12, 2006
Publication date： Dec. 27, 2007
Summary：
【課題】 電界放出型電子源を用いて、イオンビームの空間電荷を効率良く中和して、空間電荷によるイオンビームの発散を効果的に抑制することができる装置を提供する。【解決手段】 このイオンビーム照射装置は、イオンビーム2の経路の近傍に設けられていて電子12を放出する電界放出型電子源10を備えている。電界放出型電子源10は、それから放出するときの電子12の、イオンビーム2の進行方向に平行な方向からの角度である入射角度が、-15度から+45度(イオンビーム2の内向きが+、外向きが-)の範囲内の角度を成す向きに配置されている。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
イオン源から引き出したイオンビームをターゲットに照射する構成のイオンビーム照射装置において、
前記イオンビームの経路の近傍に設けられていて電子を放出する電子源であって、導電性のカソード基板上に形成されていて先端が尖った形状をした多数の微小なエミッタ、および、この各エミッタの先端付近を微小な間隙をあけて取り囲む引出し電極を有する電界放出型電子源を備えており、
かつ前記電界放出型電子源は、それから放出するときの電子の、前記イオンビームの進行方向に平行な方向からの角度である入射角度が、-15度から+45度(イオンビームの内向きが+、外向きが-)の範囲内の角度を成す向きに配置されている、ことを特徴とするイオンビーム照射装置。
IPC (4)：
H01J 37/317
, H01J 37/073
, C23C 14/48
, H01L 21/265
H01J37/317 Z
, H01J37/317 B
, H01J37/073
, C23C14/48 Z
, H01L21/265 603B
4K029AA06
, 4K029BD01
, 4K029CA10
, 5C030CC10
, 5C034CC13
, 5C034CC17
Cited by applicant (1)
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イオンビーム照射装置
Gazette classification：公開公報
Application number：特願2003-270658
Applicant：独立行政法人産業技術総合研究所, 日新イオン機器株式会社
Cited by examiner (3)
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