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J-GLOBAL ID：201403034748732206

含フッ素ポリイミド構造体および含フッ素ポリイミド構造体の製造方法

Inventor：
牧野 朋未

About 牧野 朋未


Applicant, Patent owner：
株式会社日本触媒

About 株式会社日本触媒


Agent (5)： 植木 久一 ,  植木 久彦 ,  菅河 忠志 ,  伊藤 浩彰 ,  柴田 有佳理
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2013088843
Publication number (International publication number)：2014210404
Application date： Apr. 19, 2013
Publication date： Nov. 13, 2014
Summary：
【課題】所望の大きさ及び所望の凹凸形状を有する構造体を形成する際に、構造体の凹凸形状表面へのボイドの発生がなく、成形型からの剥離性が向上し、凹凸形状が良好であると共に、蛋白質吸着量がさらに低減され、細胞親和性がコントロールされて三次元培養が可能となる含フッ素ポリイミド構造体及びその製造方法を提供すること。【解決手段】凹凸形状を周期的に配置してなる含フッ素ポリイミド構造体であって、前記含フッ素ポリイミド構造体において、フッ素含有量が1〜60質量%、イミド化率が20%以上であり、凹凸形状が特定の条件を満たすことを特徴とする含フッ素ポリイミド構造体。【選択図】なし
Claim (excerpt)：
凹凸形状を周期的に配置してなる含フッ素ポリイミド構造体であって、 前記含フッ素ポリイミド構造体において、フッ素含有量が1〜60質量%、イミド化率が20%以上であり、 凹凸形状が以下の(1)または(2)の条件を満たすことを特徴とする含フッ素ポリイミド構造体。 (1)凸形状の基底面の平均円相当径または基底辺の長さが100μm以下、凸形状の基底面の平均円相当径または基底辺の長さと、平均高さとの比(平均高さ/基底面の平均円相当径または基底辺の長さ)が3以下、平均円相当径の中心間の距離または隣り合う基底辺の端間の距離が100μm以下 (2)凹形状の平均円相当径が100μm以下、凹形状の平均円相当径と、平均深さとの比(平均深さ/平均円相当径)が3以下、凹形状の平均円相当径の中心間の距離が100μm以下
IPC (3)：
B29C 59/02 ,  B29C 33/42 ,  H01L 21/027
FI (3)：
B29C59/02 Z ,  B29C33/42 ,  H01L21/30 502D
F-Term (27)：
4F202AA16 ,  4F202AA40 ,  4F202AF01 ,  4F202AG05 ,  4F202AJ02 ,  4F202AM32 ,  4F202AR12 ,  4F202CA19 ,  4F202CB01 ,  4F202CB29 ,  4F202CD23 ,  4F209AA16 ,  4F209AA40 ,  4F209AF01 ,  4F209AG05 ,  4F209AH63 ,  4F209AJ02 ,  4F209AM32 ,  4F209AR12 ,  4F209PA02 ,  4F209PB01 ,  4F209PC01 ,  4F209PC05 ,  4F209PN03 ,  4F209PN09 ,  4F209PQ11 ,  5F146AA33
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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