光検出器

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (4)：長谷川芳樹 , 黒木義樹 , 石田悟 , 柴山健一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2012143015
Publication number (International publication number)：2014007334
Application date： Jun. 26, 2012
Publication date： Jan. 16, 2014
Summary：

【課題】半導体層の吸収端波長よりも長い波長を有する光を検出することができる光検出器を提供する。【解決手段】光検出器1Aは、第1の金属層4と、第1の金属層4上に積層された半導体層5と、半導体層5上に積層された第2の金属層6と、を有する積層構造体3を備える。積層構造体3では、半導体層5の吸収端波長よりも長い波長を有する入射光により表面プラズモンが励起されると共に、表面プラズモンの共振により形成される電場でフォノンが励起されることにより、半導体層5の電子が遷移する。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

第1の金属層と、前記第1の金属層上に積層された半導体層と、前記半導体層上に積層された第2の金属層と、を有する積層構造体を備え、前記積層構造体では、前記半導体層の吸収端波長よりも長い波長を有する入射光により表面プラズモンが励起されると共に、前記表面プラズモンの共振により形成される電場でフォノンが励起されることにより、前記半導体層の電子が遷移する、光検出器。

IPC (4)：

H01L 31/08 , G01J 1/02 , H01L 31/108 , H01L 31/10

FI (5)：

H01L31/08 Z , G01J1/02 B , H01L31/10 C , H01L31/10 H , G01J1/02 R

F-Term (9)：

2G065AA04 , 2G065AB02 , 5F049MA05 , 5F049MB02 , 5F049MB07 , 5F049NA10 , 5F088AA11 , 5F088AB02 , 5F088BA20

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

非常に薄い半導体領域を有する光検出器
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2011-542868 Applicant：コミサリアアエナジーアトミックエオックスエナジーズオルタネティヴ
ショットキー型光検出器
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2010-034121 Applicant：国立大学法人豊橋技術科学大学

Cited by examiner (2)

非常に薄い半導体領域を有する光検出器
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2011-542868 Applicant：コミサリアアエナジーアトミックエオックスエナジーズオルタネティヴ
ショットキー型光検出器
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2010-034121 Applicant：国立大学法人豊橋技術科学大学

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