電子装置及びその製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：國分孝悦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2013077891
Publication number (International publication number)：2014203929
Application date： Apr. 03, 2013
Publication date： Oct. 27, 2014
Summary：

【課題】十分な移動度を確保するも、コンタクト抵抗の大幅な低減を実現する、信頼性の高い高性能な電子装置を得る。【解決手段】電子装置は、グラフェン膜3と、グラフェン膜3と電気的に接続された電極4とを有しており、グラフェン膜3は、電極4との接続部分に、他の部位よりも状態密度の高い部位3Aを有し、状態密度の高い部位3Aは、ナノリボン構造、ナノメッシュ構造、或いは複数層のグラフェン積層構造とされる。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

グラフェンと、前記グラフェンと電気的に接続された電極とを含み、前記グラフェンは、前記電極との接続部分に、他の部位よりも状態密度の高い部位を有することを特徴とする電子装置。

IPC (5)：

H01L 29/786 , H01L 21/28 , H01L 51/05 , H01L 51/30 , H01L 51/40

FI (8)：

H01L29/78 616V , H01L21/28 301B , H01L29/78 618B , H01L29/28 100A , H01L29/28 250E , H01L29/28 310E , H01L29/28 370 , H01L29/28 280

F-Term (43)：

4M104AA09 , 4M104AA10 , 4M104BB05 , 4M104BB07 , 4M104BB14 , 4M104CC01 , 4M104FF13 , 4M104FF31 , 4M104GG09 , 5F110AA03 , 5F110AA07 , 5F110CC01 , 5F110CC02 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD04 , 5F110DD05 , 5F110DD13 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE14 , 5F110EE43 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF09 , 5F110FF22 , 5F110FF27 , 5F110FF28 , 5F110FF30 , 5F110GG01 , 5F110GG12 , 5F110GG19 , 5F110GG44 , 5F110HJ01 , 5F110HJ04 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK21 , 5F110HK32 , 5F110QQ14 , 5F110QQ16

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

グラフェン膜と金属電極とが電気的接合した回路装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2010-289350 Applicant：株式会社日立製作所
グラファイト薄膜の切断方法、グラファイト薄膜を備える積層基板、およびこれを用いる電界効果トランジスタ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2008-277904 Applicant：日本電気株式会社

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