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J-GLOBAL ID：201203080650265933

グラフェン膜と金属電極とが電気的接合した回路装置

Inventor：
岡井 誠

About 岡井 誠

, 
廣岡 誠之

About 廣岡 誠之

, 
和田 恭雄

About 和田 恭雄


Applicant, Patent owner：
株式会社日立製作所

About 株式会社日立製作所


Agent (1)： ポレール特許業務法人
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2010289350
Publication number (International publication number)：2012138451
Application date： Dec. 27, 2010
Publication date： Jul. 19, 2012
Summary：
【課題】グラフェン膜と金属電極との接触面積(基板上の占有面積)を抑制しつつ、それらの間の接触抵抗を低減してグラフェン膜と金属電極とが良好に電気的接合された回路装置を提供する。【解決手段】本発明に係る回路装置は、単層または複数層からなるグラフェン膜を利用した回路装置であって、前記回路は、前記グラフェン膜と該グラフェン膜に直接接合する第1の金属電極と該グラフェン膜に直接接合する第2金属電極とを有し、前記第1の金属電極と接合している領域の前記グラフェン膜の90%以上と前記第2の金属電極と接合している領域の前記グラフェン膜の90%以上とが、高濃度のp型または高濃度のn型にドープされていることを特徴とする。【選択図】図2
Claim (excerpt)：
単層または複数層からなるグラフェン膜を利用した回路装置であって、 前記回路は、前記グラフェン膜と、該グラフェン膜に直接接合する第1の金属電極と、該グラフェン膜に直接接合する第2金属電極とを有し、 前記グラフェン膜は、前記第1の金属電極と前記第2の金属電極との間に第1導電型のドープ領域を有し、 前記第1の金属電極と接合している領域における前記グラフェン膜の90%以上の領域と、前記第2の金属電極と接合している領域における前記グラフェン膜の90%以上の領域とが、前記第1導電型のドープ領域よりも高濃度の第1導電型または高濃度の第2導電型にドープされていることを特徴とするグラフェン膜と金属電極とが電気的接合した回路装置。
IPC (3)：
H01L 29/786 ,  C01B 31/02 ,  H01L 21/336
FI (5)：
H01L29/78 618B ,  C01B31/02 101Z ,  H01L29/78 618E ,  H01L29/78 616V ,  H01L29/78 626C
F-Term (37)：
4G146AA01 ,  4G146AB07 ,  4G146AC20A ,  4G146AC20B ,  4G146AC27A ,  4G146AC27B ,  4G146AD30 ,  4G146BA12 ,  4G146BB22 ,  4G146BB23 ,  4G146BC09 ,  4G146BC23 ,  4G146BC33B ,  5F110AA03 ,  5F110CC02 ,  5F110DD05 ,  5F110DD12 ,  5F110DD13 ,  5F110DD17 ,  5F110EE02 ,  5F110EE04 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110GG01 ,  5F110GG19 ,  5F110GG32 ,  5F110GG44 ,  5F110GG51 ,  5F110GG52 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ04 ,  5F110HK02 ,  5F110HK04 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110QQ14 ,  5F110QQ19
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (6)
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