磁気抵抗素子及び磁気メモリ

Inventor： , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (13)：蔵田昌俊 , 福原淑弘 , 中村誠 , 野河信久 , 峰隆司 , 河野直樹 , 砂川克 , 井関守三 , 赤穂隆雄 , 井上正 , 佐藤立志 , 岡田貴志 , 堀内美保子
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2012250338
Publication number (International publication number)：2014099497
Application date： Nov. 14, 2012
Publication date： May. 29, 2014
Summary：

【課題】磁気抵抗素子の絶縁不良を抑制する。【解決手段】実施形態による磁気抵抗素子は、第1の磁性層13と、第2の磁性層15と、第1の磁性層と第2の磁性層との間に設けられた中間層14と、第1の磁性層の中間層が設けられた面と反対面に設けられ、Hf、Al、Mg及びTiの中から選択された1つ以上の元素とBとを含む第1の層12Aと、第1の層の第1の磁性層が設けられた面と反対面に設けられ、Hf、Al及びMgの中から選択された1つ以上の元素とBとを含む第2の層12Bと、中間層の側壁に設けられ、第2の層に含まれるHf、Al及びMgの中から選択された1つ以上の元素を含む絶縁層20と、を具備する。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

第1の磁性層と、第2の磁性層と、前記第1の磁性層と前記第2の磁性層との間に設けられた中間層と、前記第1の磁性層の前記中間層が設けられた面と反対面に設けられ、Hf、Al、Mg及びTiの中から選択された1つ以上の元素とBとを含む第1の層と、前記第1の層の前記第1の磁性層が設けられた面と反対面に設けられ、Hf、Al及びMgの中から選択された1つ以上の元素とBとを含む第2の層と、前記第2の層の前記第1の層が設けられた面と反対面に設けられ、Hf、Al、Mg、Ti、Ta、Mn、Zr、Ca、Sr、Y、Ba、La、Ce、Sm、Eu、Ybの中から選択された1つ以上の元素とBとを含む第3の層と、前記中間層の側壁に設けられ、前記第2の層に含まれる前記Hf、Al及びMgの中から選択された1つ以上の元素とBとを含む絶縁層と、を具備し、前記第2の下地層の膜厚は、前記第1の下地層の膜厚よりも厚く、前記第1の磁性層は、記憶層である、磁気抵抗素子。

IPC (7)：

H01L 43/10 , H01L 43/12 , H01L 43/08 , H01L 27/105 , H01L 21/824 , H01L 29/82 , H01L 21/306

FI (6)：

H01L43/10 , H01L43/12 , H01L43/08 Z , H01L27/10 447 , H01L29/82 Z , H01L21/302 105A

F-Term (48)：

4M119AA03 , 4M119AA19 , 4M119BB01 , 4M119CC05 , 4M119DD07 , 4M119DD15 , 4M119DD17 , 4M119DD33 , 4M119DD34 , 4M119DD45 , 4M119DD55 , 4M119EE22 , 4M119EE27 , 4M119FF05 , 4M119FF16 , 4M119FF17 , 4M119JJ13 , 5F004AA09 , 5F004BA11 , 5F004DA00 , 5F004DA23 , 5F004DB08 , 5F004DB12 , 5F004EA13 , 5F004EB08 , 5F004FA08 , 5F092AA02 , 5F092AA11 , 5F092AB08 , 5F092AC12 , 5F092AD23 , 5F092AD25 , 5F092BB10 , 5F092BB23 , 5F092BB36 , 5F092BB43 , 5F092BB55 , 5F092BB81 , 5F092BC03 , 5F092BC11 , 5F092BC12 , 5F092BC18 , 5F092BC43 , 5F092BE25 , 5F092BE27 , 5F092CA09 , 5F092CA13 , 5F092CA17

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

変換器及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-079163 Applicant：リード-ライトコーポレーション
磁気検出素子及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-245109 Applicant：アルプス電気株式会社
多層膜の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2011-063285 Applicant：株式会社東芝

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