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J-GLOBAL ID：200903020673482399

磁気検出素子及びその製造方法

Inventor：
長谷川 直也

About 長谷川 直也

, 
西山 義弘

About 西山 義弘


Applicant, Patent owner：
アルプス電気株式会社

About アルプス電気株式会社


Agent (1)： 野▲崎▼ 照夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001245109
Publication number (International publication number)：2002359416
Application date： Aug. 13, 2001
Publication date： Dec. 13, 2002
Summary：
【要約】【課題】 従来のCPP型磁気検出素子では、素子サイズの狭小化に伴い、再生出力の向上と再生波形の安定性を適切に図ることができなかった。【解決手段】 多層膜30の両側端面にスペキュラー膜31を形成する。またフリー磁性層26の非磁性材料層25が形成されている面と反対側の面に非磁性中間層27を介してハードバイアス層29を形成する。これにより再生出力が高く、また感度が良い再生波形の安定性に優れた磁気検出素子を製造することができる。
Claim (excerpt)：
反強磁性層、固定磁性層、非磁性材料層及びフリー磁性層を有する多層膜が設けられ、前記多層膜の各層の膜面と垂直方向に電流が流れる磁気検出素子において、前記フリー磁性層の前記非磁性材料層が形成された面と反対側の面には、非磁性中間層を介してバイアス層が設けられ、少なくとも前記固定磁性層から前記フリー磁性層までの各層のトラック幅方向における両側端面には、スペキュラー膜が設けられていることを特徴とする磁気検出素子。
IPC (7)：
H01L 43/08 ,  G01R 33/09 ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/16 ,  H01F 10/30 ,  H01F 41/18 ,  H01L 43/12
FI (7)：
H01L 43/08 Z ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/16 ,  H01F 10/30 ,  H01F 41/18 ,  H01L 43/12 ,  G01R 33/06 R
F-Term (16)：
2G017AA01 ,  2G017AB07 ,  2G017AD55 ,  2G017AD65 ,  5D034BA02 ,  5D034BA03 ,  5D034CA06 ,  5E049AA01 ,  5E049AA04 ,  5E049AA07 ,  5E049AA09 ,  5E049AC05 ,  5E049BA16 ,  5E049CB02 ,  5E049DB12 ,  5E049GC01
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (6)
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Cited by examiner (6)
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