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J-GLOBAL ID：201403043296797290

スピントロニクスデバイス

Inventor：
安藤 和也

About 安藤 和也

, 
齊藤 英治

About 齊藤 英治


Applicant, Patent owner：
国立大学法人東北大学

About 国立大学法人東北大学


Agent (2)： 眞鍋 潔 ,  柏谷 昭司
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2012231849
Publication number (International publication number)：2014086448
Application date： Oct. 19, 2012
Publication date： May. 12, 2014
Summary：
【課題】 スピントロニクスデバイスに関し、スピン流-電子相互変換部材の有するスピン流-電流変換係数αHで規定されていたスピン流-電流変換効率をαH以上にする。【解決手段】 スピン流発生部材層に接合するスピン流-電子相互変換部材層として、スピン流の流入方向の電気伝導度が他の方向の電気伝導度より高い導電性部材を用いる。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
エネルギーの供給により純スピン流或いはスピン波スピン流を発生するスピン流発生部材層と、 前記スピン流発生部材層に接合し、スピン流を電流に変換する或いは電流をスピン流に変換するスピン流-電流相互変換部材層と、 前記スピン流-電流相互変換部材層に設けられ、前記電流の流れる方向の上流側と下流側に設けられた一対の電極と を有し、 前記スピン流-電流相互変換部材層が、スピン流の流入方向の電気伝導度が他の方向の電気伝導度より高い異方導電性を有するスピントロニクスデバイス。
IPC (5)：
H01L 29/82 ,  H01L 27/105 ,  H01L 21/824 ,  H01L 51/05 ,  H01L 51/30
FI (6)：
H01L29/82 Z ,  H01L27/10 447 ,  H01L29/28 100A ,  H01L29/28 250G ,  H01L29/28 220B ,  H01L29/28 220D
F-Term (21)：
4M119BB01 ,  4M119CC05 ,  4M119DD42 ,  4M119EE01 ,  4M119KK06 ,  5F092AB06 ,  5F092AB10 ,  5F092AC12 ,  5F092AC21 ,  5F092AC26 ,  5F092AD25 ,  5F092BB35 ,  5F092BB36 ,  5F092BB55 ,  5F092BC03 ,  5F092BD03 ,  5F092BD06 ,  5F092BD07 ,  5F092BD13 ,  5F092BD14 ,  5F092BD16
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (2)

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