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J-GLOBAL ID：200903037033491448

スピントロニクスデバイス及び情報伝達方法

Inventor： 梶原 瑛祐 ,  内田 健一 ,  安藤 和也 ,  齊藤 英治
Applicant, Patent owner： 学校法人慶應義塾
Agent (4)： 眞鍋 潔 ,  柏谷 昭司 ,  渡邊 弘一 ,  伊藤 壽郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2008148556
Publication number (International publication number)：2009295824
Application date： Jun. 05, 2008
Publication date： Dec. 17, 2009
Summary：

【課題】 スピントロニクスデバイス及び情報伝達方法に関し、スピン波スピン流による長距離輸送を可能にする具体的手段を提供する。【解決手段】 磁性誘電体層と、前記磁性誘電体層上に設けられたPt、Au、Pd、Ag、Bi、またはそれらの合金、或いは、f軌道を有する元素等のスピン軌道相互作用の大きな元素からなる少なくとも一つの金属電極とを備え、前記磁性誘電体層と前記金属電極との界面でスピン波スピン流-純スピン流の交換を行う。【選択図】 図12

Claim (excerpt)：

磁性誘電体層と、前記磁性誘電体層上に設けられたPt、Au、Pd、Ag、Bi、またはそれらの合金、或いは、f軌道を有する元素のいずれかからなる少なくとも一つの金属電極とを備え、前記磁性誘電体層と前記金属電極との界面でスピン波スピン流-純スピン流の交換を行うスピントロニクスデバイス。

IPC (1)：

H01L 29/82

FI (1)：

H01L29/82 Z

F-Term (7)：

5F092AC26 ,  5F092BD05 ,  5F092BD06 ,  5F092BD13 ,  5F092BE03 ,  5F092CA04 ,  5F092CA25

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

• 記憶機能を有する3層構造磁気スピン極性化装置と当該装置を使用した記憶素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-375089   Applicant：コミツサリアタレネルジーアトミーク
• 磁気抵抗効果素子及びそれを搭載した不揮発性磁気メモリ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2006-181979   Applicant：株式会社日立製作所, 国立大学法人東北大学
• 演算素子およびその製造方法、ならびに演算装置および演算方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-259028   Applicant：ソニー株式会社

Cited by examiner (4)

• スピン波励振・検出装置、前記装置を用いた高周波信号処理装置及びカーボンナノチューブの構造評価装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-421425   Applicant：財団法人新産業創造研究機構
• 光-マイクロ波変調素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-380146   Applicant：三洋電機株式会社
• 磁気記録ヘッド及び磁気記憶装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2004-099385   Applicant：株式会社東芝
• 発振デバイス、通信装置、及び磁性素子による発振方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2008-124893   Applicant：ソニー株式会社

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• Electric Manipulation of Spin Relaxation Using the Spin Hall Effect