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J-GLOBAL ID：201403043667046722

ドープされた希土類ケイ酸塩を含む蛍光材料

Inventor： ブラウタ,サミュエル ,  マットマン,エリック ,  ポーウェルス,ダミアン ,  ビアナ,ブルーノ ,  ウスペンスキー,ウラジミール
Applicant, Patent owner： サン-ゴバン クリストー エ デテクトゥール
Agent (4)： 渡邉 一平 ,  木川 幸治 ,  佐藤 博幸 ,  小池 成
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2013539359
Publication number (International publication number)：2014505742
Application date： Nov. 16, 2011
Publication date： Mar. 06, 2014
Summary：

本発明は、Lnとは異なる元素Bでドープされた希土類(Ln)ケイ酸塩を含む材料であって、Bは、Ce、Pr、Tbの中から選択され、Bは、少なくとも部分的に、その4+酸化状態にあり(B4+)、前記材料中のB4+の量が、0.0001質量%〜0.1質量%の間に含まれる、材料に関する。この材料は、発光材料であってもよく、X線照射中に測定される強度に対して、100ミリ秒後に、通常200ppm未満の残光を呈し得る。好ましくは共ドープされる。酸化アニールすることにより得ることができる。特に、医療用画像装置で使用することができるイオン化粒子検出器への組み込みに適している。

Claim (excerpt)：

Lnとは異なる元素Bでドープされた希土類(Ln)ケイ酸塩を含む材料であって、Bは、Ce、Pr、Tbの中から選択され、前記元素Bは、少なくとも部分的にその4+酸化状態にあり(B4+)、前記材料中のB4+の量は、0.0001質量%〜0.1質量%の間に含まれる、材料。

IPC (7)：

C09K 11/79 ,  C09K 11/80 ,  C09K 11/08 ,  C09K 11/00 ,  G01T 1/20 ,  G01T 1/161 ,  A61B 6/03

FI (7)：

C09K11/79 ,  C09K11/80 ,  C09K11/08 B ,  C09K11/00 E ,  G01T1/20 B ,  G01T1/161 C ,  A61B6/03 320S

F-Term (42)：

2G188AA02 ,  2G188BB02 ,  2G188BB04 ,  2G188BB05 ,  2G188BB06 ,  2G188BB09 ,  2G188CC09 ,  4C093AA22 ,  4C093EB12 ,  4C188EE02 ,  4C188FF07 ,  4C188GG10 ,  4C188KK15 ,  4H001CA02 ,  4H001CF02 ,  4H001XA08 ,  4H001XA14 ,  4H001XA39 ,  4H001XA57 ,  4H001XA59 ,  4H001XA60 ,  4H001XA62 ,  4H001XA63 ,  4H001XA64 ,  4H001XA65 ,  4H001XA66 ,  4H001XA67 ,  4H001XA68 ,  4H001XA69 ,  4H001XA70 ,  4H001XA71 ,  4H001YA12 ,  4H001YA13 ,  4H001YA20 ,  4H001YA21 ,  4H001YA31 ,  4H001YA38 ,  4H001YA49 ,  4H001YA56 ,  4H001YA58 ,  4H001YA59 ,  4H001YA65

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• 単結晶の熱処理方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2005-253885   Applicant：日立化成工業株式会社
• 残光が少なく、高密度、高速のシンチレーター物質
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2007-525327   Applicant：サン-ゴバンクリストーエデテクトゥール
• シンチレータ用単結晶及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2005-262568   Applicant：日立化成工業株式会社
• 単結晶の熱処理方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2005-251886   Applicant：日立化成工業株式会社
• 蛍光材料およびそれを用いた放射線検出器
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2006-070966   Applicant：日立金属株式会社

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• A 36-Pixel Tunnel Junction Soft X-Ray Spectrometer for Scintillator Material Science
• A 36-Pixel Tunnel Junction Soft X-Ray Spectrometer for Scintillator Material Science