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J-GLOBAL ID：201403044974941247

透明導電体及び透明導電体の製造方法

Inventor： 川原田 洋 ,  長谷川 雅考
Applicant, Patent owner： 学校法人早稲田大学 ,  独立行政法人産業技術総合研究所
Agent (3)： 吉田 正義 ,  今枝 弘充 ,  梅村 裕明
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2013033096
Publication number (International publication number)：2014162033
Application date： Feb. 22, 2013
Publication date： Sep. 08, 2014
Summary：

【課題】安定的に形成することができるp型の透明導電体及び導電体の製造方法を提供する。【解決手段】ダイヤモンド薄膜を備える透明導電体であって、前記ダイヤモンド薄膜は、600°C以上の成膜温度で表面に形成され、ホウ素濃度が1×1021cm-3以上の高濃度領域と、前記高濃度領域の深さ方向に形成され、ホウ素濃度が前記高濃度領域より1桁以上低い低濃度領域と、前記高濃度領域と前記低濃度領域の間に形成され、深さ方向にホウ素の濃度勾配を有する領域とを備える。【選択図】なし

Claim (excerpt)：

ダイヤモンド薄膜を備える透明導電体であって、 前記ダイヤモンド薄膜は、 600°C以上の成膜温度で表面に形成され、ホウ素濃度が1×1021cm-3以上の高濃度領域と、 前記高濃度領域の深さ方向に形成され、ホウ素濃度が前記高濃度領域より1桁以上低い低濃度領域と、 前記高濃度領域と前記低濃度領域の間に形成され、深さ方向にホウ素の濃度勾配を有する領域と を備えることを特徴とする透明導電体。

IPC (4)：

B32B 5/14 ,  H01B 5/14 ,  H01B 13/00 ,  C23C 16/27

FI (4)：

B32B5/14 ,  H01B5/14 A ,  H01B13/00 503B ,  C23C16/27

F-Term (29)：

4F100AA31A ,  4F100AD11A ,  4F100AH01 ,  4F100AT00B ,  4F100BA02 ,  4F100BA44A ,  4F100DE01A ,  4F100EH66 ,  4F100EJ61 ,  4F100GB41 ,  4F100JG01 ,  4F100JN01 ,  4F100YY00A ,  4K030AA07 ,  4K030AA09 ,  4K030AA10 ,  4K030AA14 ,  4K030AA17 ,  4K030BA28 ,  4K030CA05 ,  4K030FA01 ,  4K030FA17 ,  4K030JA10 ,  5G307FA01 ,  5G307FB04 ,  5G307FC09 ,  5G307FC10 ,  5G323BA05 ,  5G323BB03

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 有機電界発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-089576   Applicant：株式会社豊田中央研究所
• 有機発光素子及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-349537   Applicant：株式会社神戸製鋼所
• 特許第6198218号
  
• ホウ素をドープしたダイヤモンド半導体
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2007-552399   Applicant：アポロダイヤモンド,インク

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• Surface Functional Nanocrystalline Diamond for Biosensor and Transparent Electrode