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J-GLOBAL ID：201403045965064825

Siクラスレートの製造方法

Inventor： 野々村 修一 ,  久米 徹二 ,  伴 隆幸 ,  大橋 史隆
Applicant, Patent owner： 国立大学法人岐阜大学
Agent (1)： 特許業務法人広江アソシエイツ特許事務所
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2011091814
Publication number (International publication number)：2012224488
Patent number：5626896
Application date： Apr. 18, 2011
Publication date： Nov. 15, 2012
Claim (excerpt)：

【請求項1】 Siクラスレートの製造方法であって、 シリコンウエハとNaとを混合して650°C以上の温度で加熱して、SiとNaとからなる化合物を生成する陽圧加熱処理工程と、 前記陽圧加熱処理工程によって生成されたSiとNaとからなる前記化合物を、10-2Pa以下の陰圧下で300°C以上450°C以下の温度により1時間以上加熱する陰圧加熱処理工程と、 を備えており、 前記陽圧加熱処理工程が、0.5時間以上24時間以下の加熱時間で行われることを特徴とするSiクラスレートの製造方法。

IPC (1)：

C01B 33/02 ( 200 6.01)

FI (1)：

C01B 33/02 Z

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• クラスレート化合物薄膜の作製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-147359   Applicant：日本電気株式会社
• クラスレート化合物およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-342101   Applicant：日本電気株式会社