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J-GLOBAL ID：201403046137310614

グラフィンのn-ドーピング方法

Inventor： ホン、ビョン ヒ ,  キム、ウン ソン
Applicant, Patent owner： グラフェンスクェア インコーポレイテッド
Agent (1)： 龍華国際特許業務法人
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2013556556
Publication number (International publication number)：2014518827
Application date： Mar. 02, 2012
Publication date： Aug. 07, 2014
Summary：

本願は、基材上に炭素ソースを含む反応ガス及び熱を提供して反応させることで、前記基材上にグラフィンを成長させる段階;及び、n-型ドーパントを含むドーピング溶液、またはn-型ドーパントを含む蒸気により、前記グラフィンをn-ドーピングする段階;を含む、グラフィンのn-ドーピング方法、これによって製造されるn-ドーピングされたグラフィン、及び前記n-ドーピングされたグラフィンを含む素子を提供する。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

基材上に炭素ソースを含む反応ガス及び熱を提供して反応させることで、前記基材上にグラフィンを成長させる段階と、 n-型ドーパントを含むドーピング溶液、またはn-型ドーパントを含む蒸気により、前記グラフィンをn-ドーピングする段階と を含む、グラフィンのn-ドーピング方法。

IPC (9)：

C01B 31/02 ,  H01L 29/868 ,  H01L 29/861 ,  H01L 29/06 ,  H01L 51/05 ,  H01L 51/30 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/223 ,  H01L 21/228

FI (9)：

C01B31/02 101Z ,  H01L29/91 F ,  H01L29/06 601N ,  H01L29/28 100A ,  H01L29/28 220A ,  H01L29/28 250E ,  H01L21/205 ,  H01L21/223 Z ,  H01L21/228

F-Term (15)：

4G146AA01 ,  4G146AB07 ,  4G146AC16B ,  4G146AC30B ,  4G146AD30 ,  4G146BC09 ,  4G146CB11 ,  4G146CB12 ,  4G146CB13 ,  4G146CB19 ,  4G146CB32 ,  4G146CB34 ,  4G146CB35 ,  5F045AB07 ,  5F045AC19

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 電解液を蓄電に利用する新規エネルギー貯蔵デバイス
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2008-056694   Applicant：株式会社カネカ
• グラフェンを用いた電子デバイスの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2007-207369   Applicant：富士通株式会社
• カーボンナノチューブの溶液処理ドーピング方法、半導体装置および半導体装置の形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2005-055790   Applicant：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• Modification of the electronic structures of graphene by viologen