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J-GLOBAL ID：201403052493563152

二ホウ化マグネシウム薄膜の製造方法

Inventor：
柴田 浩行

About 柴田 浩行

, 
赤崎 達志

About 赤崎 達志

, 
都倉 康弘

About 都倉 康弘


Applicant, Patent owner：
日本電信電話株式会社

About 日本電信電話株式会社


Agent (1)： 特許業務法人 谷・阿部特許事務所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2012168301
Publication number (International publication number)：2014024734
Application date： Jul. 30, 2012
Publication date： Feb. 06, 2014
Summary：
【課題】膜質が均一でTcの高いMgB2極薄膜(膜厚50nm以下)の製造方法を提供する。【解決手段】膜厚50nm以下のMgB2薄膜の作製方法であって、MBE法によりMgB2薄膜を作製する工程と、MBE成長したMgB2薄膜にラピッドアニールを加える工程とを備え、ラピッドアニールは、50°C/min以上の速度で昇温・降温することを特徴とする。ラピッドアニールのアニール温度は、300-500°Cの範囲内にあることが好ましく、ラピッドアニールの保持時間は、1-2分の範囲内にあることが好ましい。【選択図】図4
Claim (excerpt)：
膜厚50nm以下のMgB2薄膜の作製方法であって、 MBE法によりMgB2薄膜を作製する工程と、 MBE成長したMgB2薄膜にラピッドアニールを加える工程と を備え、前記ラピッドアニールは、50°C/min以上の速度で昇温・降温することを特徴とするMgB2薄膜の作製方法。
IPC (8)：
C30B 29/10 ,  H01L 39/24 ,  H01B 13/00 ,  H01B 12/06 ,  C01B 35/04 ,  C01G 1/00 ,  C30B 23/08 ,  C30B 33/02
FI (8)：
C30B29/10 ,  H01L39/24 B ,  H01B13/00 565Z ,  H01B12/06 ,  C01B35/04 C ,  C01G1/00 S ,  C30B23/08 M ,  C30B33/02
F-Term (28)：
4G047JA04 ,  4G047JB02 ,  4G047JB03 ,  4G047JC16 ,  4G047KE03 ,  4G047KG09 ,  4G047LA05 ,  4G047LA07 ,  4G077AA03 ,  4G077AB10 ,  4G077BE06 ,  4G077DA05 ,  4G077FE11 ,  4G077FJ06 ,  4G077HA08 ,  4G077SA04 ,  4G077SC01 ,  4M113AC07 ,  4M113BA04 ,  4M113BA29 ,  4M113CA16 ,  4M113CA44 ,  5G321AA98 ,  5G321BA07 ,  5G321CA21 ,  5G321CA24 ,  5G321CA27 ,  5G321CA50
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (2) Cited by examiner (2)

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