プラズマ処理装置

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (3)：井上学 , 戸田裕二 , 岩崎重美
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2013000778
Publication number (International publication number)：2014135305
Application date： Jan. 08, 2013
Publication date： Jul. 24, 2014
Summary：

【課題】本発明は、プラズマ処理室の物理的変動によるプラズマ処理性能の変動を抑制できるプラズマ処理装置を提供する。【解決手段】本発明は、試料をプラズマ処理するプラズマ処理室と、前記プラズマ処理室内にプラズマを生成させるための高周波電力を供給する第一の高周波電源と、前記試料を載置する試料台と、前記試料台に高周波電力を供給する第二の高周波電源と、前記試料台に印加にされた電圧と電流を検出する検出手段と、前記検出手段からの出力値を用いて前記第一の高周波電源と前記第二の高周波電源とを制御する制御装置とを備えるプラズマ処理装置において、前記制御装置は、前記検出手段により検出された電流波形のデータを用いて前記第一の高周波電源を制御するとともに前記検出手段により検出された電圧波形のデータを用いて前記第二の高周波電源を制御することを特徴とする。【選択図】図7

Claim (excerpt)：

試料をプラズマ処理するプラズマ処理室と、前記プラズマ処理室内にプラズマを生成させるための高周波電力を供給する第一の高周波電源と、前記試料を載置する試料台と、前記試料台に高周波電力を供給する第二の高周波電源と、前記試料台に印加にされた電圧と電流を検出する検出手段と、前記検出手段からの出力値を用いて前記第一の高周波電源と前記第二の高周波電源とを制御する制御装置とを備えるプラズマ処理装置において、前記制御装置は、前記検出手段により検出された電流波形のデータを用いて前記第一の高周波電源を制御するとともに前記検出手段により検出された電圧波形のデータを用いて前記第二の高周波電源を制御することを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (3)：

H01L 21/306 , H05H 1/46 , H05H 1/00

FI (3)：

H01L21/302 101D , H05H1/46 C , H05H1/00 A

F-Term (5)：

5F004AA01 , 5F004BA14 , 5F004CA03 , 5F004CB05 , 5F004CB20

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (4)

プラズマ処理装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-217157 Applicant：株式会社日立製作所
プラズマ処理方法及び装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-179987 Applicant：松下電器産業株式会社
プロセスの状態を識別する方法および装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-087586 Applicant：テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド

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Cited by examiner (4)

プラズマ処理装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-217157 Applicant：株式会社日立製作所
プラズマ処理方法及び装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-179987 Applicant：松下電器産業株式会社
プロセスの状態を識別する方法および装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-087586 Applicant：テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド

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