Pat
J-GLOBAL ID：201403056544164989

リードスイッチの製造方法及びリードスイッチ

Inventor：
小岩 賢太郎

About 小岩 賢太郎


Applicant, Patent owner：
株式会社沖センサデバイス

About 株式会社沖センサデバイス


Agent (3)： 中島 淳 ,  加藤 和詳 ,  福田 浩志
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2012133095
Publication number (International publication number)：2013258041
Application date： Jun. 12, 2012
Publication date： Dec. 26, 2013
Summary：
【課題】パラジウムを下地めっき層に使用した場合においても、パラジウムに起因する表面めっき層の剥がれが抑制され、リード片の先端部に重層のめっき層を有する接点部を備えたリードスイッチを、製造しうるリードスイッチの製造方法及び該製造方法により得られたリードスイッチを提供する。【解決手段】一対のリード片12A、12Bのそれぞれの一端が接点部16A、16Bとされ、該接点部16A、16Bが真空状態又は不活性ガスと共に容器14に封入されてなるリードスイッチ10の製造方法であって、前記接点部にパラジウムめっきを施して下地めっき層20を形成する工程と、前記パラジウムめっきを施した接点部に、陽極電解による脱水素処理を施す工程と、前記脱水素処理を施した接点部に、表面めっき処理を行って表面めっき層22を形成する工程と、を少なくとも有するリードスイッチの製造方法。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
一対のリード片のそれぞれの一端が接点部とされ、該接点部が真空状態又は不活性ガスと共に容器に封入されてなるリードスイッチの製造方法であって、 前記接点部にパラジウムめっきを施す工程と、 前記パラジウムめっきを施した接点部に、陽極電解による脱水素処理を施す工程と、 前記脱水素処理を施した接点部に、表面めっき処理を行って、ロジウム、ルテニウム、イリジウム、及びプラチナから選ばれる少なくとも1種を含む表面めっき層を形成する工程と、 を少なくとも有するリードスイッチの製造方法。
IPC (4)：
H01H 11/00 ,  H01H 36/00 ,  H01H 1/04 ,  H01H 11/04
FI (4)：
H01H11/00 R ,  H01H36/00 302A ,  H01H1/04 E ,  H01H11/04 B
F-Term (8)：
5G023BA34 ,  5G023CA25 ,  5G046CA06 ,  5G050AA19 ,  5G050AA36 ,  5G050AA39 ,  5G050DA07 ,  5G050EA09
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
Show all

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM