Pat

J-GLOBAL ID：201403063780656783

酸化物結晶薄膜の製造方法

Inventor： 織田 真也 ,  人羅 俊実
Applicant, Patent owner： 株式会社FLOSFIA
Agent (3)： SK特許業務法人 ,  奥野 彰彦 ,  伊藤 寛之
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2013118358
Publication number (International publication number)：2014234337
Application date： Jun. 04, 2013
Publication date： Dec. 15, 2014
Summary：

【課題】炭素不純物濃度の低減と高い成膜速度を両立させることができ、かつ安定的な結晶構造の作り分けを可能にする薄膜製造方法を提供する【解決手段】本発明によれば、ガリウム化合物とインジウム化合物の少なくとも一方と水とを含む原料溶液を微粒子化して生成される原料微粒子を成膜室に供給する工程を備え、前記ガリウム化合物とインジウム化合物の少なくとも一方は、臭化物又はヨウ化物である、酸化物結晶薄膜の製造方法が提供される。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

ガリウム化合物とインジウム化合物の少なくとも一方と水とを含む原料溶液を微粒子化して生成される原料微粒子を成膜室に供給する工程を備え、前記ガリウム化合物とインジウム化合物の少なくとも一方は、臭化物又はヨウ化物である、酸化物結晶薄膜の製造方法。

IPC (2)：

C30B 29/16 ,  C30B 7/14

FI (2)：

C30B29/16 ,  C30B7/14

F-Term (8)：

4G077AA03 ,  4G077AB10 ,  4G077BB01 ,  4G077BB10 ,  4G077CB08 ,  4G077EC01 ,  4G077HA06 ,  4G077HA12

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• ドーパントを添加した結晶性の高い導電性α型酸化ガリウム薄膜およびその生成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2011-164748   Applicant：公立大学法人高知工科大学
• 透明導電性非晶質膜の製造方法、及び透明導電性非晶質膜
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2010-074897   Applicant：住友化学株式会社
• 特開平1-189815
  

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• Heteroepitaxy of Corundum-Structured α-Ga2O3 Thin Films on α-Al2O3 Substrates by Ultrasonic Mist C
• Evaluation of Misfit Relaxation in α-Ga2O3 Epitaxial Growth on α-Al2O3 Substrate
• Electrical Conductive Corundum-Structured α-Ga2O3 Thin Films on Sapphire with Tin-Doping Grown by S