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J-GLOBAL ID：201403065659049716

電界効果トランジスタ

Inventor： 桑原 博一 ,  由井 樹人 ,  池田 征明 ,  瀧宮 和男
Applicant, Patent owner： 日本化薬株式会社
Agent (12)： 特許業務法人浅村特許事務所 ,  浅村 皓 ,  浅村 肇 ,  金森 久司 ,  長沼 暉夫 ,  池田 幸弘 ,  梶原 斎子 ,  新村 守男 ,  長瀬 裕子 ,  井上 洋一 ,  弓削 麻理 ,  渡邉 義敬
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2009533172
Patent number：5428113
Application date： Sep. 18, 2008
Claim (excerpt)：

【請求項1】 下記式(1)で表される少なくとも1種の化合物により形成されている半導体層を有することを特徴とする電界効果トランジスタ。 (式(1)中、X1及びX2は同一であって、硫黄原子又はセレン原子を表す。R1及びR2は同一であって、C1-C8の飽和アルキル基を表す。但し、X1及びX2のいずれもがセレン原子の場合には、R1及びR2は同一であって、C1-C4の飽和アルキル基を表す。)

IPC (6)：

H01L 51/30 ( 200 6.01) ,  H01L 51/05 ( 200 6.01) ,  H01L 51/40 ( 200 6.01) ,  H01L 29/786 ( 200 6.01) ,  C07D 495/04 ( 200 6.01) ,  C07D 517/04 ( 200 6.01)

FI (6)：

H01L 29/28 250 H ,  H01L 29/28 100 A ,  H01L 29/28 310 J ,  H01L 29/78 618 B ,  C07D 495/04 101 ,  C07D 517/04

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

• ジチア-s-インダセン誘導体
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2004-147116   Applicant：高砂香料工業株式会社
• 有機エレクトロルミネッセンス素子材料およびそれを使用した有機エレクトロルミネッセンス素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-150565   Applicant：東洋インキ製造株式会社
• 新規なベンゾジカルコゲノフェン誘導体、その製造方法およびそれを用いた有機半導体デバイス
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-397788   Applicant：独立行政法人科学技術振興機構

Cited by examiner (3)

• ジチア-s-インダセン誘導体
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2004-147116   Applicant：高砂香料工業株式会社
• 有機エレクトロルミネッセンス素子材料およびそれを使用した有機エレクトロルミネッセンス素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-150565   Applicant：東洋インキ製造株式会社
• 新規なベンゾジカルコゲノフェン誘導体、その製造方法およびそれを用いた有機半導体デバイス
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-397788   Applicant：独立行政法人科学技術振興機構

Article cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• “Molecular Modification of 2,6-Diphenylbenzo[1,2-b:4,5-b']dichalcogenophenes by Introduction of Str

Cited by examiner (1)

• “Molecular Modification of 2,6-Diphenylbenzo[1,2-b:4,5-b']dichalcogenophenes by Introduction of Str