半導体装置の製造方法及び半導体装置

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：酒井宏明
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2012232270
Publication number (International publication number)：2014086467
Application date： Oct. 19, 2012
Publication date： May. 12, 2014
Summary：

【課題】ボイドを形成することなく、高アスペクト比のトレンチを埋め込むことができる半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供すること。【解決手段】トレンチの幅寸法を部分的に拡大させた拡大部10aを有するトレンチをエッチングによって形成するとともに該トレンチの内壁に絶縁膜を形成するトレンチ形成工程と、前記トレンチの拡大部10aが開口部となり、幅寸法を拡大していないトレンチの深部のボイドにCVD材料ガスを供給し続け、ボイドがなくなるまで前記トレンチにCVD材料を埋め込んで絶縁トレンチ10を形成するトレンチ埋め込み工程と、を含む。【選択図】図5

Claim (excerpt)：

絶縁トレンチを有する半導体装置の製造方法であって、トレンチの幅寸法を部分的に拡大させた拡大部を有するトレンチをエッチングによって形成するとともに該トレンチの内壁に絶縁膜を形成するトレンチ形成工程と、前記トレンチの拡大部が開口部となり、幅寸法を拡大していないトレンチの深部のボイドにCVD材料ガスを供給し続け、ボイドがなくなるまで前記トレンチにCVD材料を埋め込んで絶縁トレンチを形成するトレンチ埋め込み工程と、を含むことを特徴する半導体装置の製造方法。

IPC (3)：

H01L 21/76 , H01L 21/20 , B81C 1/00

FI (3)：

H01L21/76 L , H01L21/20 , B81C1/00

F-Term (29)：

3C081AA17 , 3C081BA04 , 3C081BA07 , 3C081BA28 , 3C081BA44 , 3C081BA47 , 3C081BA53 , 3C081CA14 , 3C081CA15 , 3C081CA29 , 3C081EA08 , 5F032AA11 , 5F032AA35 , 5F032AA44 , 5F032AA45 , 5F032AA47 , 5F032CA13 , 5F032DA02 , 5F032DA03 , 5F032DA12 , 5F032DA22 , 5F032DA33 , 5F152LL03 , 5F152LM02 , 5F152LM04 , 5F152LM05 , 5F152MM01 , 5F152NN03 , 5F152NQ03

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

特開昭62-171139
半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2010-035901 Applicant：OKIセミコンダクタ株式会社
半導体構造及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2007-015980 Applicant：松下電工株式会社

Show all

Return to Previous Page