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J-GLOBAL ID:201403069485873541

バイオマス誘導体をフォトカタリシス・改質して水素を製造するための半導体光触媒及びその製造と応用

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 八田国際特許業務法人
Gazette classification:公表公報
Application number (International application number):2013536984
Publication number (International publication number):2014500788
Application date: Nov. 04, 2011
Publication date: Jan. 16, 2014
Summary:
バイオマス誘導体をフォトカタリシス・改質して水素を製造する半導体光触媒およびその製造と応用において、前記半導体光触媒の原子組成比がM〜N-Axであり、ただし、M〜NがII族の元素-VI族の元素であり、又はM〜NがIII族の元素-V族の元素であり、前記算において、Aがコバルト、ニッケル、鉄、銅、クロム、パラジウム、白金、ルテニウム、ロジウム、イリジウムや銀の1つ又は2つ以上の元素であり、0.02%≦x≦1.0%である。量子ドットが可視光によって光反応を駆使することで、元の場所には高効な半導体触媒を製造し且つバイオマス誘導体をフォトカタリシス・改質して水素ガスを製造する方法は、簡単、便利、高効、低価な特点を備え、また、焼成という厳しい条件ではなくても、光によって照射して元の場所には反応することができる。【選択図】図1
Claim (excerpt):
バイオマス誘導体をフォトカタリシス・改質して水素を製造するための半導体光触媒であって、 前記半導体光触媒の原子組成比は、M〜N-Axであり、 ただし、M〜NはII族元素〜VI族元素であり、またはM〜NはIII族元〜V族元素であり、 前記式の中で、Aは、コバルト、ニッケル、鉄、銅、クロム、パラジウム、白金、ルテニウム、ロジウム、イリジウム、金や銀の1つ又は2つ以上の元素であり、0.02%≦X≦1.0%であることを特徴とする半導体光触媒。
IPC (9):
B01J 27/057 ,  B01J 27/043 ,  B01J 27/185 ,  B01J 23/84 ,  B01J 35/02 ,  C01B 3/22 ,  C01B 19/04 ,  C01B 25/08 ,  C01G 51/00
FI (10):
B01J27/057 M ,  B01J27/043 M ,  B01J27/185 M ,  B01J23/84 M ,  B01J35/02 J ,  C01B3/22 A ,  C01B3/22 Z ,  C01B19/04 A ,  C01B25/08 A ,  C01G51/00 C
F-Term (89):
4G048AA01 ,  4G048AA07 ,  4G048AB02 ,  4G048AC08 ,  4G048AD10 ,  4G048AE06 ,  4G140DA01 ,  4G140DA05 ,  4G140DB04 ,  4G140DC02 ,  4G140DC07 ,  4G169AA02 ,  4G169AA08 ,  4G169AA09 ,  4G169BA04A ,  4G169BA04B ,  4G169BA26C ,  4G169BA27C ,  4G169BA48A ,  4G169BB04A ,  4G169BB04B ,  4G169BB06C ,  4G169BB08C ,  4G169BB10C ,  4G169BB12C ,  4G169BB14C ,  4G169BB16C ,  4G169BB17C ,  4G169BC21A ,  4G169BC21B ,  4G169BC22A ,  4G169BC27A ,  4G169BC27B ,  4G169BC31C ,  4G169BC35A ,  4G169BC36A ,  4G169BC36B ,  4G169BC50A ,  4G169BC50B ,  4G169BC58A ,  4G169BC58B ,  4G169BC58C ,  4G169BC66A ,  4G169BC66B ,  4G169BC66C ,  4G169BC67A ,  4G169BC67B ,  4G169BC67C ,  4G169BC68A ,  4G169BC68B ,  4G169BC68C ,  4G169BD07A ,  4G169BD07B ,  4G169BD08A ,  4G169BD08B ,  4G169BD08C ,  4G169BD09A ,  4G169BD09B ,  4G169BD10A ,  4G169BD10B ,  4G169BD11C ,  4G169BE01C ,  4G169BE08C ,  4G169BE13C ,  4G169BE38C ,  4G169BE42C ,  4G169BE43C ,  4G169BE44C ,  4G169BE47C ,  4G169CC31 ,  4G169DA03 ,  4G169EA01Y ,  4G169EB19 ,  4G169FA01 ,  4G169FB05 ,  4G169FB58 ,  4G169FB77 ,  4G169FC02 ,  4G169FC08 ,  4G169FC09 ,  4G169HA02 ,  4G169HA05 ,  4G169HB01 ,  4G169HB06 ,  4G169HC02 ,  4G169HC21 ,  4G169HC29 ,  4G169HD03 ,  4G169HE20
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (12)
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