Pat
J-GLOBAL ID：201403070303215178
レーザダイシング方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (3)：
池上 徹真
, 須藤 章
, 松山 允之
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2012152237
Publication number (International publication number)：2014014825
Application date： Jul. 06, 2012
Publication date： Jan. 30, 2014
Summary：
【課題】パルスレーザビームの照射条件を最適化することで、優れた割断特性を実現するレーザダイシング方法を提供する。【解決手段】被加工基板へのパルスレーザビームの照射と非照射を、クロック信号に同期して、パルスピッカーを用いてパルスレーザビームの通過と遮断を制御することで、光パルス単位で切り替え、被加工基板に基板表面に達するクラックを、クラックが被加工基板表面において連続するよう形成するレーザダイシング方法であって、被加工基板に対してパルスレーザビームを第1の直線に沿って照射する第1のクラック形成ステップと、被加工基板に対してパルスレーザビームを第1の直線に直交する第2の直線に沿って照射する第2のクラック形成ステップと、を有し、第1の直線と第2の直線が交差する領域において、第1のクラック形成ステップまたは第2のクラック形成ステップで、パルスレーザビームの光パルス密度を増加させるレーザダイシング方法。【選択図】図2
Claim (excerpt)：
被加工基板をステージに載置し、
クロック信号を発生し、
前記クロック信号に同期したパルスレーザビームを出射し、
前記被加工基板と前記パルスレーザビームとを相対的に移動させ、
前記被加工基板への前記パルスレーザビームの照射と非照射を、前記クロック信号に同期して、パルスピッカーを用いて前記パルスレーザビームの通過と遮断を制御することで、光パルス単位で切り替え、
前記被加工基板に基板表面に達するクラックを、前記パルスレーザビームの照射エネルギー、前記パルスレーザビームの加工点深さ、および、前記パルスレーザビームの照射領域および非照射領域の長さを制御することにより、前記クラックが前記被加工基板表面において連続するよう形成するレーザダイシング方法であって、
前記被加工基板に対してパルスレーザビームを第1の直線に沿って照射する第1のクラック形成ステップと、
前記被加工基板に対してパルスレーザビームを前記第1の直線に直交する第2の直線に沿って照射する第2のクラック形成ステップと、を有し、
前記第1の直線と前記第2の直線が交差する領域において、前記第1のクラック形成ステップまたは前記第2のクラック形成ステップで、パルスレーザビームの光パルス密度を増加させることを特徴とするレーザダイシング方法。
IPC (4)：
B23K 26/38
, B23K 26/40
, B23K 26/00
, H01L 21/301
B23K26/38 320
, B23K26/40
, B23K26/00 M
, B23K26/00 N
, H01L21/78 B
4E068AE01
, 4E068CA02
, 4E068CA03
, 4E068CA07
, 4E068CA11
, 4E068CB02
, 4E068CB08
, 4E068DA10
, 4E068DB11
, 4E068DB13
