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J-GLOBAL ID：201403074825529429

窒化ホウ素膜の成膜方法

Inventor： 鈴木 常生 ,  中山 忠親 ,  末松 久幸 ,  新原 ▲こう▼一 ,  大堀 鉄太郎 ,  白幡 淳 ,  佐藤 彰
Applicant, Patent owner： 国立大学法人長岡技術科学大学 ,  ユニオンツール株式会社
Agent (2)： 吉井 剛 ,  吉井 雅栄
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2010006764
Publication number (International publication number)：2010185138
Patent number：5554076
Application date： Jan. 15, 2010
Publication date： Aug. 26, 2010
Claim (excerpt)：

【請求項1】 基材に、不活性ガスを含む雰囲気中でホウ素を含むターゲット材料を用いた高周波バイアススパッタリング法で赤外分光スペクトルの波数1050〜1100cm-1における最大のピークの高さをIsp3、同波数1350〜1400cm-1における最大のピークの高さをIsp2とした場合、下記式から求めた比fsp3が50%以上である窒化ホウ素膜を成膜する窒化ホウ素膜の成膜方法であって、少なくともArとHeの2種が混合された混合ガス雰囲気中で成膜を行うことを特徴とする窒化ホウ素膜の成膜方法。 記 fsp3=Isp3/(Isp3+Isp2)×100 (%)

IPC (2)：

C23C 14/06 ( 200 6.01) ,  C23C 14/34 ( 200 6.01)

FI (2)：

C23C 14/06 J ,  C23C 14/34 R

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特表平6-509609
  
• 磁気記録媒体の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-316519   Applicant：ソニー株式会社