ホイスラー合金材料、磁気抵抗素子および磁気デバイス

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (2)：須田篤 , 楠修二
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2009077606
Publication number (International publication number)：2010229477
Patent number：5413646
Application date： Mar. 26, 2009
Publication date： Oct. 14, 2010
Claim (excerpt)：

【請求項1】 Co2(FexMn1-x)Si合金(x=0.1〜0.9)の組成比を有することを、特徴とするホイスラー合金材料。

IPC (7)：

C22C 19/07 ( 200 6.01) , H01L 43/08 ( 200 6.01) , H01L 43/10 ( 200 6.01) , H01F 10/16 ( 200 6.01) , H01F 10/32 ( 200 6.01) , H01F 10/28 ( 200 6.01) , H01F 41/22 ( 200 6.01)

FI (7)：

C22C 19/07 C , H01L 43/08 M , H01L 43/08 Z , H01F 10/16 , H01F 10/32 , H01F 10/28 , H01F 41/22

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (5)

トンネル型磁気検出素子及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2006-005497 Applicant：アルプス電気株式会社
磁気検出素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-347378 Applicant：アルプス電気株式会社
強磁性体の形成方法並びにトランジスタ及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2007-078925 Applicant：国立大学法人東京工業大学

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