巨大磁気抵抗およびスピン分極トンネルを有する化合物、その製造および使用方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (3)：坂口博 , 市位嘉宏 , 上野剛史
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2002568388
Publication number (International publication number)：2004524689
Application date： Feb. 22, 2002
Publication date： Aug. 12, 2004
Summary：

【課題】本発明は、式単位当り少なくとも2つの元素を含み、290Kを超える温度において、0.1T当り10%未満の磁界感度を有することを特徴とするPMR効果(GMR効果とCMR効果との結合効果)を有する無機金属間化合物を提供する。【解決手段】本発明は、また、これらの化合物からなる複合材料、その製造方法、および特に、磁界センサとしての使用、またはスピン電子回路領域内での使用に関する。

Claim (excerpt)：

式単位当り少なくとも2つの化学元素を含み、290Kを超える温度で0.1T当り10%を超える固有磁界感度を有する、PMR効果を示す無機金属間化合物。

IPC (2)：

H01F1/40 , H01L43/08

FI (2)：

H01F1/00 A , H01L43/08 Z

F-Term (1)：

5E040CA11

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (9)

トンネル型磁気抵抗効果型素子及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-027554 Applicant：アルプス電気株式会社
特開昭63-285739
ホイスラー合金薄膜の製造方法、磁性膜を備えた積層膜、それを利用した磁気抵抗効果素子および固体磁気記録素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-054202 Applicant：株式会社東芝

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