ポジトロン断層撮影法およびポジトロン放出化合物

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2010019158
Publication number (International publication number)：2011158323
Patent number：5618047
Application date： Jan. 29, 2010
Publication date： Aug. 18, 2011
Claim (excerpt)：

【請求項1】ポジトロン放出源の分布と集積度を測定するポジトロン断層撮影法において、ポジトロン放出源として、化合物(Ia)を用いることを特徴とするポジトロン断層撮影法。

IPC (5)：

G01T 1/161 ( 200 6.01) , C07D 409/06 ( 200 6.01) , C07D 211/26 ( 200 6.01) , C07D 409/12 ( 200 6.01) , A61K 51/00 ( 200 6.01)

FI (5)：

G01T 1/161 A , C07D 409/06 , C07D 211/26 , C07D 409/12 , A61K 49/02 A

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

N-[ヘテロアリル(ピペリジン-2-イル)メチル]ベンズアミドの誘導体、この調製方法およびこの治療法における使用
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2006-534798 Applicant：サノフイ-アベンテイス
N-[フェニル(アルキルピペリジン-2-イル)メチル]ベンズアミド誘導体、この調製方法およびこの治療法における使用
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2006-534799 Applicant：サノフイ-アベンテイス
N-[フェニル(ピペリジン-2-イル)メチル]ベンズアミド誘導体類、それらの製造方法および治療におけるそれらの使用
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2003-586132 Applicant：サノフィ-アベンティス

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