半導体装置の製造方法、ダイナミックスレッショルドトランジスタの製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (2)：伊東忠重 , 伊東忠彦
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2011543065
Patent number：5422669
Application date： Nov. 30, 2009
Claim (excerpt)：

【請求項1】シリコン基板を、チャネル領域が形成されるシリコン基板部分を残してエッチングすることにより、前記シリコン基板部分の第1および第2の側に第1および第2のトレンチをそれぞれ形成する工程と、前記第1および第2のトレンチ内に、シリコンに対しエッチング選択性を有する半導体層とシリコン層とを順次エピタキシャルに成長することにより、それぞれ形成する工程と、前記半導体層を、前記シリコン層および前記シリコン基板に対し選択的エッチングにより除去し、前記シリコン基板部分の前記第1および第2の側において、前記シリコン層の下にボイドを形成する工程と、前記ボイド内の少なくとも一部に、埋込絶縁膜を形成する工程と、前記シリコン基板部分上にゲート絶縁膜およびゲート電極を形成する工程と、前記シリコン基板部分の前記第1の側において前記シリコン層中にソース領域を、前記シリコン基板部分の前記第2の側において前記シリコン層中にドレイン領域を形成する工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (8)：

H01L 21/336 ( 200 6.01) , H01L 29/78 ( 200 6.01) , H01L 21/8234 ( 200 6.01) , H01L 27/088 ( 200 6.01) , H01L 21/8238 ( 200 6.01) , H01L 27/092 ( 200 6.01) , H01L 29/786 ( 200 6.01) , H01L 21/76 ( 200 6.01)

FI (8)：

H01L 29/78 301 S , H01L 29/78 301 J , H01L 27/08 102 B , H01L 27/08 321 E , H01L 29/78 626 C , H01L 29/78 622 , H01L 29/78 621 , H01L 21/76 L

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (8)

接合部に絶縁体層を有する電界効果トランジスタ構造
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2008-545184 Applicant：エヌエックスピービーヴィ
半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2005-203918 Applicant：セイコーエプソン株式会社
半導体装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2005-203314 Applicant：株式会社東芝

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Cited by examiner (8)

特許第7247896号
接合部に絶縁体層を有する電界効果トランジスタ構造
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2008-545184 Applicant：エヌエックスピービーヴィ
半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2005-203918 Applicant：セイコーエプソン株式会社

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