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J-GLOBAL ID：201403083734590795

ダイヤモンドの製造方法及び直流プラズマCVD装置

Inventor：
野口 仁

About 野口 仁


Applicant, Patent owner：
信越化学工業株式会社

About 信越化学工業株式会社


Agent (4)： 小島 隆司 ,  重松 沙織 ,  小林 克成 ,  石川 武史
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2012174619
Publication number (International publication number)：2014034473
Application date： Aug. 07, 2012
Publication date： Feb. 24, 2014
Summary：
【課題】ダイヤモンドの安定した成長速度を維持し、かつ高品質なダイヤモンドが得られるダイヤモンドの製造方法を提供する。【解決手段】基板Sを保持したステージ電極12と電圧印加電極13との間に、直流電圧を印加する直流プラズマCVD法により、少なくとも炭素含有ガスと水素ガスとの混合ガスを原料として、基板S上にダイヤモンドを成長させるダイヤモンドの製造方法であって、ダイヤモンド成長用直流電圧を印加してダイヤモンドを成長させている時に、前記ステージ電極12と電圧印加電極13との間に前記ダイヤモンド成長用直流電圧とは逆極性の単パルス電圧を所定のタイミングで印加する。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
基板を保持したステージ電極と電圧印加電極との間に、直流電圧を印加する直流プラズマCVD法により、少なくとも炭素含有ガスと水素ガスとの混合ガスを原料として、基板上にダイヤモンドを成長させるダイヤモンドの製造方法であって、ダイヤモンド成長用直流電圧を印加してダイヤモンドを成長させている時に、前記ステージ電極と電圧印加電極との間に前記ダイヤモンド成長用直流電圧とは逆極性の単パルス電圧を所定のタイミングで印加することを特徴とするダイヤモンドの製造方法。
IPC (2)：
C30B 29/04 ,  C23C 16/27
FI (2)：
C30B29/04 C ,  C23C16/27
F-Term (16)：
4G077AA02 ,  4G077AA03 ,  4G077BA03 ,  4G077DB17 ,  4G077EJ01 ,  4G077HA05 ,  4G077TA04 ,  4G077TA06 ,  4G077TB07 ,  4G077UA01 ,  4K030AA10 ,  4K030AA17 ,  4K030BA28 ,  4K030CA05 ,  4K030DA02 ,  4K030FA01
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (2)

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