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J-GLOBAL ID：200903057941838631

成膜装置および該成膜装置に用いる筒状陰極での異常放電発生防止方法

Inventor：
江 南

About 江 南

, 
張 暉

About 張 暉


Applicant, Patent owner：
ダイヤライトジャパン株式会社

About ダイヤライトジャパン株式会社


Agent (1)： 岡田 和秀
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006335934
Publication number (International publication number)：2008144249
Application date： Dec. 13, 2006
Publication date： Jun. 26, 2008
Summary：
【課題】冷陰極材料に用いた場合にその冷陰極のIV特性を改善できる炭素膜を成膜することができる成膜装置を提供すること。【解決手段】真空成膜室6と、この真空成膜室6内に配置され内部に直流プラズマを発生し当該内部に配置した基板(導電性ワイヤ)10表面に成膜するための筒状陰極8とを備え、上記直流プラズマによりガスが分解して成膜が行われる過程で筒状陰極8に周期的にパルス状正電圧V2を印加する。【選択図】図2
Claim (excerpt)：
真空成膜室内に配置した筒状陰極に直流負電圧を印加し、その内部にプラズマを閉じ込め状態で生成して、真空成膜室に導入した炭素膜成膜用のガスを分解することにより、当該筒状陰極内部に配置した基板表面に炭素膜を成膜する成膜装置であって、 上記直流負電圧を印加して生成したプラズマにより上記ガスが分解して上記成膜が行われる過程で、パルス状正電圧を筒状陰極に繰り返し印加して該筒状陰極に付着した炭素物質に帯電する電荷を中和することにより、上記電荷のチャージアップによる異常放電の発生を防止可能とした、ことを特徴とする成膜装置。
IPC (3)：
C23C 16/509 ,  C23C 16/26 ,  C01B 31/02
FI (3)：
C23C16/509 ,  C23C16/26 ,  C01B31/02 101F
F-Term (19)：
4G146AA01 ,  4G146AA11 ,  4G146AB07 ,  4G146BA12 ,  4G146BA48 ,  4G146BC09 ,  4G146BC25 ,  4G146DA03 ,  4G146DA16 ,  4G146DA47 ,  4K030AA10 ,  4K030AA17 ,  4K030BA27 ,  4K030CA02 ,  4K030CA16 ,  4K030FA03 ,  4K030JA11 ,  4K030JA18 ,  4K030LA11
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (1)
  • 電子エミッタ
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-023186   Applicant：スミスズインダストリーズパブリックリミテッドカンパニー, ワンナンワン
Cited by examiner (5)
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