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J-GLOBAL ID：201403089765107950
多接合太陽電池およびその製造方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
,
Agent (3)：
山川 政樹
, 山川 茂樹
, 小池 勇三
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2013098150
Publication number (International publication number)：2014220350
Application date： May. 08, 2013
Publication date： Nov. 20, 2014
Summary：
【課題】より容易に製造できる状態で、シリコンからなる太陽電池セルと窒化物半導体からなる太陽電池セルとからなる多接合太陽電池において、各太陽電池セルの間の良好な電気伝導性が得られて効率よく発電ができるようにする。【解決手段】シリコンからなる第1太陽電池セル131のp型シリコン層102にn型シリコン層109を接して形成してトンネル接合を構成し、n型シリコン層109に窒化物半導体からなる第2太陽電池セル132のn型GaN層110を貼り合わせる。【選択図】 図1A
Claim (excerpt)：
n型のシリコン基板,前記シリコン基板の上に形成されたp型のシリコンからなるp型シリコン層,および前記p型シリコン層の上に接して形成されたn型のシリコンからなるn型シリコン層を備える第1太陽電池セルと、
太陽光を吸収するp型の窒化物半導体からなるp型窒化物半導体層,太陽光を吸収するn型の窒化物半導体からなるn型窒化物半導体層,およびn型のGaNからなるn型GaN層を備える第2太陽電池セルと
を備え、
前記n型シリコン層と前記n型GaN層が貼り合わされて前記第1太陽電池セルおよび前記第2太陽電池セルが一体とされ、
前記p型シリコン層の上に、前記n型シリコン層,前記n型窒化物半導体層,および前記p型窒化物半導体層が、これらの順に積層され、
前記p型シリコン層と前記n型シリコン層とによりトンネル接合が形成されていることを特徴とする多接合太陽電池。
IPC (1)：
FI (2)：
H01L31/04 Y
, H01L31/04 E
5F151AA01
, 5F151AA08
, 5F151BA14
, 5F151CB12
, 5F151CB19
, 5F151DA03
, 5F151DA19
Cited by examiner (3)
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タンデム太陽電池セル
Gazette classification：公開公報
Application number：特願2011-052918
Applicant：日本電信電話株式会社
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多接合太陽電池およびその製造方法
Gazette classification：公開公報
Application number：特願2011-047418
Applicant：日本電信電話株式会社, 国立大学法人福井大学
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高効率の縦列太陽電池用の低抵抗トンネル接合
Gazette classification：公表公報
Application number：特願2010-503044
Applicant：ザリージェンツオブザユニバーシティオブカリフォルニア
Article cited by the Patent：
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