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J-GLOBAL ID：201403096067085950

レーザー脱離イオン化質量分析法

Inventor： 天野 純子 ,  後藤 康友 ,  稲垣 伸二
Applicant, Patent owner： 公益財団法人野口研究所 ,  株式会社豊田中央研究所
Agent (2)： 高橋 徳明 ,  日比 敦士
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2012269387
Publication number (International publication number)：2014115187
Application date： Dec. 10, 2012
Publication date： Jun. 26, 2014
Summary：

【課題】LDI質量分析法において、測定対象分子の均一で高いイオン生成量を有する基材を調製し、短時間で効率良く質の高いMSスペクトルを得ることのできるLDI質量分析法を提供する。【解決手段】レーザー脱離イオン化質量分析法において、照射レーザー光を吸収可能な有機基を骨格に有する有機シリカ多孔体に、該有機シリカ多孔体の吸収した光エネルギーが移動可能な測定対象分子を含む試料を均一に担持させた後、レーザー光を照射し、該測定対象分子をイオン化させることを特徴とするレーザー脱離イオン化質量分析法。【選択図】図2

Claim (excerpt)：

レーザー脱離イオン化質量分析法において、照射レーザー光を吸収可能な有機基を骨格に有する有機シリカ多孔体に、該有機シリカ多孔体の吸収した光エネルギーが移動可能な測定対象分子を含む試料を均一に担持させた後、レーザー光を照射し、該測定対象分子をイオン化させることを特徴とするレーザー脱離イオン化質量分析法。

IPC (2)：

G01N 27/64 ,  G01N 27/62

FI (2)：

G01N27/64 B ,  G01N27/62 V

F-Term (10)：

2G041CA01 ,  2G041DA03 ,  2G041EA01 ,  2G041EA12 ,  2G041GA03 ,  2G041GA06 ,  2G041GA08 ,  2G041GA09 ,  2G041GA12 ,  2G041JA03

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 質量分析用デバイス及びそれを用いた質量分析装置、質量分析方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2008-244029   Applicant：富士フイルム株式会社
• 被分析物の分析方法
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2003-584731   Applicant：イグジィリオンゲーエムベーハーアンドコー.カーゲー
• 光エネルギー変換材料
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2007-189545   Applicant：株式会社豊田中央研究所