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J-GLOBAL ID：201502210909384553   Reference number：15A1351363

ノーマリオフGaNトランジスタのパワーエレクトロニクス応用

Author (1)： EGAWA TAKASHI (名古屋工大)
Material： エネルギーデバイス  (Energy Device)
Volume： 2  Issue： 6  Page： 62-64  Publication year： Aug. 30, 2015 
JST Material Number： F1332A  ISSN： 2188-1383  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： power electronics ,  *gallium nitride ,  *transistor ,  silicon carbide ,  productivity ,  *heat sink ,  *HEMT ,  crystal growth
Semi thesaurus term： *GaNトランジスタ ,  *放熱性

JST classification (1)： Transistors  (NC03070N)

Reference (6)：

• S. L. Selvaraj et al., Appl. Phys. Lett., 90, 173506-1 (2007)
• T. Egawa et al., IEEE Electron Device Lett., 26, 169 (2005)
• M. Akiyama et al., Jpn. J. Appl. Phys., 23, L843 (1984)
• H. Amano et al., Appl. Phys. Lett., 48, 353 (1986)
• H. Ishikawa et al., Jpn. J. Appl. Phys., 38, L492 (1999)

Terms in the title (4)： GaN ,  トランジスタ ,  パワーエレクトロニクス ,  応用