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J-GLOBAL ID：201502211365239879   Reference number：15A1045387

Cr-Ge-Te薄膜の相変化挙動

Author (4)： HATAKEYAMA SHOGO (東北大 工) ,  ANDO DAISUKE (東北大 工) ,  SUTO YUJI (東北大 工) ,  KOIKE JUN'ICHI (東北大 工)
Material： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
Volume： 76th  Page： ROMBUNNO.14A-PB7-3  Publication year： Aug. 31, 2015 
JST Material Number： Y0055B  ISSN： 2758-4704  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： phase change random access memory ,  material ,  germanium compound ,  *chromium compound ,  telluride (chalcogenide) ,  *electric resistance ,  *crystallization ,  sputtering ,  temperature of crystallization ,  nonvolatile memory ,  *phase change material
Semi thesaurus term： crystallization temperature ,  phase change RAM ,  Co-sputtering

JST classification (2)： Structure of other amorphous materials  (BK04040Z) ,  Electric conduction in other inorganic compounds  (BM03044O)

Terms in the title (6)： Cr ,  Ge ,  Te ,  薄膜 ,  相変化 ,  挙動