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J-GLOBAL ID：201502215143932172   Reference number：15A1332621

Die-Bonding Material and Sintering Joining Technology for Power Semiconductors Allowing Operation at High Temperatures

パワー半導体の高温動作を可能にするダイボンド材料及び焼結接合技術

Author (3)： HIRATSUKA DAISUKE (東芝) ,  SASAKI AKIHIRO (東芝) ,  IGUCHI TOMOHIRO (東芝)
Material： 東芝レビュー  (Toshiba Review)
Volume： 70  Issue： 11  Page： 46-49  Publication year： Nov. 01, 2015 
JST Material Number： F0360A  ISSN： 0372-0462  CODEN： TORBA  Document type： Article
Article type： 解説  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *power transistor ,  semiconductor device ,  *solder ,  *material ,  *bonding and joining ,  *high temperature ,  *Temperature ,  heat resistance ,  nano particle ,  embrittlement ,  salt ,  precipitate (phase separation) ,  nanoprecipitates ,  metal salt ,  *sinter-bonding ,  silver nanoparticle ,  variation
Semi thesaurus term： Ag nanoparticle ,  SiC ,  *operating temperature

JST classification (1)： Connecting parts  (NA05050Z)

Reference (5)：

• Guth, K. et al. "New assembly and interconnects beyond sintering methods". international exhibition & conference for power electronics, intelligent motion, renewable energy & energy market 2010 (PCIM2010). Nuremberg, PCIM, 2010, p.232-237.
• Ide, E. et al. Metal-metal bonding process using Ag metallo-organic nanoparticles. Acta Materialia. 53, 8, 2005, p.2385-2393.
• 平塚大祐 他. 銀ナノ粒子を用いた高信頼性ダイボンド技術.エレクトロニクスにおけるマイクロ接合・実装技術シンポジウム論文集.17,2011,p.111-116.
• Behrens, T. "Novel Copper Metallization on Silicon Carbide Electronic Devices EnablingIncreased Packaging Lifetime and Higher Junction-Temperatures". 15th European Conference on Power Electronics and Applications 2013 (EPE'13), Lille, France, 2013-09, ECCE. 2013, p.1-10.
• Smith, C. S. Grains, Phases, and Interfaces: An Interpretation of Microstructure. Trans. AIME. 175, 1948, p.15-51.

Terms in the title (3)： パワー半導体 ,  高温動作 ,  焼結接合