Art

J-GLOBAL ID：201502216815284498   Reference number：15A0533009

InGaAs axial-junction nanowire-array solar cells

InGaAs軸方向接合ナノワイヤアレイ太陽電池

Author (6)： NAKAI Eiji (Hokkaido Univ., Sapporo, JPN) ,  CHEN Muyi (Hokkaido Univ., Sapporo, JPN) ,  YOSHIMURA Masatoshi (Hokkaido Univ., Sapporo, JPN) ,  TOMIOKA Katsuhiro (Hokkaido Univ., Sapporo, JPN) ,  TOMIOKA Katsuhiro (JST-PRESTO, Saitama, JPN) ,  FUKUI Takashi (Hokkaido Univ., Sapporo, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics  (JJAP)
Volume： 54  Issue： 1  Page： 015201.1-015201.4  Publication year： Jan. 2015 
JST Material Number： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *indium gallium arsenide ,  semiconductor material ,  compound semiconductor ,  *semiconductor junction ,  nanowire ,  *solar cell ,  PIN junction ,  MOCVD ,  electric resistance ,  indium tin oxide ,  efficiency ,  voltage ,  short circuit current ,  parameter ,  multi-junction ,  serial resistance ,  conversion efficiency
Semi thesaurus term： metal organic vapor phase epitaxy ,  OCV ,  fill factor ,  酸化インジウム錫 ,  軸方向接合

JST classification (1)： Solar cell  (NC03084O)

Reference (33)：

• K. Tomioka, M. Yoshimura, and T. Fukui, Nature 488, 189 (2012).
• K. Tomioka, J. Motohisa, S. Hara, K. Hiruma, and T. Fukui, Nano Lett. 10, 1639 (2010).
• C. Li, B. Lei, D. Zhang, X. Liu, S. Han, T. Tang, M. Rouhanizadeh, T. Hsiai, and C. Zhou, Appl. Phys. Lett. 83, 4014 (2003).
• J. Wang, M. S. Gudiksen, X. Duan, Y. Cui, and C. M. Lieber, Science 293, 1455 (2001).
• G. Mariani, P. S. Wong, A. M. Katzenmeyer, F. Léonard, J. Shapiro, and D. L. Huffaker, Nano Lett. 11, 2490 (2011).

Terms in the title (3)： InGaAs ,  ナノワイヤアレイ ,  太陽電池