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J-GLOBAL ID：201502219563810604   Reference number：15A1138299

Role of Quantum and Surface-State Effects in the Bulk Fermi-Level Position of Ultrathin Bi Films

Bi超薄膜のバルクのFermi準位における量子状態および表面状態の役割

Author (10)： HIRAHARA T. (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN) ,  SHIRAI T. (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  HAJIRI T. (Inst. Molecular Sci., Okazaki, JPN) ,  HAJIRI T. (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  MATSUNAMI M. (Inst. Molecular Sci., Okazaki, JPN) ,  TANAKA K. (Inst. Molecular Sci., Okazaki, JPN) ,  KIMURA S. (Inst. Molecular Sci., Okazaki, JPN) ,  KIMURA S. (Osaka Univ., Suita, JPN) ,  HASEGAWA S. (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  KOBAYASHI K. (Ochanomizu Univ., Tokyo, JPN)
Material： Physical Review Letters  (Phys Rev Lett)
Volume： 115  Issue： 10  Page： 106803.1-106803.5  Publication year： Sep. 04, 2015 
JST Material Number： H0070A  ISSN： 0031-9007  CODEN： PRLTAO  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *bismuth ,  ultrathin film ,  Fermi level ,  *state ,  angle resolved spectroscopy ,  photoelectron spectroscopy ,  *electronic structure ,  quantum size effect ,  film thickness
Semi thesaurus term： ARPES ,  *表面状態 ,  *quantum state

JST classification (1)： Electronic conduction in crystalline metals  (BM03033M)

Terms in the title (6)： Bi ,  超薄膜 ,  バルク ,  Fermi準位 ,  量子状態 ,  役割