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J-GLOBAL ID：201502219995983542   Reference number：15A0841886

Heteroepitaxial growth of β-AlN films on sapphire (0001) in nitrogen atmospheres by pulse laser deposition

窒素雰囲気中におけるパルスレーザー蒸着法によるサファイア(0001)基板上へのβ-AlN薄膜のヘテロエピタキシャル成長

Author (8)： YOSHIDA Tomohiro (Kyushu Univ., Fukuoka, JPN) ,  YOSHIDA Tomohiro (Kurume National Coll. of Technol., Fukuoka, JPN) ,  UEDA Yutaro (Kyushu Univ., Fukuoka, JPN) ,  DAIO Takeshi (Kyushu Univ., Fukuoka, JPN) ,  TOMINAGA Aki (Kyushu Univ., Fukuoka, JPN) ,  OKAJIMA Toshihiro (Kyushu Univ., Fukuoka, JPN) ,  OKAJIMA Toshihiro (Kyushu Synchrotron Light Res. Center, Saga, JPN) ,  YOSHITAKE Tsuyoshi (Kyushu Univ., Fukuoka, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics  (JJAP)
Volume： 54  Issue： 6S1  Page： 06FJ05.1-06FJ05.3  Publication year： Jun. 2015 
JST Material Number： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *pulsed laser deposition ,  *aluminum nitride ,  compound semiconductor ,  *semiconductor thin film ,  nitrogen ,  atmosphere(environment) ,  substrate(plate) ,  sapphire ,  *heteroepitaxy ,  X-ray diffraction ,  transmission electron microscope ,  electron diffraction ,  defect
Semi thesaurus term： nitrogen atmosphere ,  *転位欠陥

JST classification (1)： Semiconductor thin films  (BK14040E)

Reference (21)：

• P. Pobedinskas, B. Ruttens, J. D’Haen, and K. Haenen, Appl. Phys. Lett. 100, 191906 (2012).
• Y. Taniyasu, M. Kasu, and T. Makimoto, Nature 441, 325 (2006).
• M. Kneissl, Z. Yang, M. Teepe, C. Knollenberg, O. Schmidt, P. Kiesel, N. M. Johnson, S. Schujman, and L. J. Schowalter, J. Appl. Phys. 101, 123103 (2007).
• M. Dubois and P. Muralt, Appl. Phys. Lett. 74, 3032 (1999).
• I. Petrov, E. Mojab, R. C. Powell, J. E. Greene, L. Hultman, and J. E. Sundgren, Appl. Phys. Lett. 60, 2491 (1992).

Terms in the title (6)： 窒素雰囲気 ,  パルスレーザー蒸着 ,  サファイア ,  AlN ,  薄膜 ,  成長