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J-GLOBAL ID：201502246417042510   Reference number：15A0700922

Analysis of single- and double-barrier tunneling diode structures using ultrathin CaF₂/CdF₂/Si multilayered heterostructures grown on Si

Si上に成長した超薄CaF₂/CdF₂/Si多層ヘテロ構造を用いた単一及び二重障壁トンネルダイオード構造の分析

Author (3)： SUDA Keita (Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN) ,  KUWATA Yuya (Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN) ,  WATANABE Masahiro (Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics  (JJAP)
Volume： 54  Issue： 4S  Page： 04DJ05.1-04DJ05.4  Publication year： Apr. 2015 
JST Material Number： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *device structure ,  *multistory structure ,  *tunnel diode ,  *barrier ,  *current-voltage characteristic ,  *interface(surface) ,  discontinuity ,  effective mass ,  simulation ,  *approximation method
Semi thesaurus term： *hetero-structure ,  *単一障壁 ,  *二重障壁 ,  fitting (approximation)

JST classification (4)： Thin films in general  (BK14010X) ,  Thin films of other inorganic compounds  (BK14060A) ,  Electrical properties of interfaces in general  (BM03081H) ,  Measurement,testing and reliability of solid-state devices  (NC03040G)

Reference (28)：

• A. Izumi, N. Matsubara, Y. Kushida, K. Tsutsui, and N. S. Sokolov, Jpn. J. Appl. Phys. 36, 1849 (1997).
• M. Watanabe, T. Funayama, T. Teraji, and N. Sakamaki, Jpn. J. Appl. Phys. 39, L716 (2000).
• M. Watanabe and T. Wada, Ext. Abstr. Solid State Devices and Materials, 2008, p. 1090.
• J. Denda, K. Uryu, K. Suda, and M. Watanabe, Appl. Phys. Express 7, 044103 (2014).
• J. Denda, K. Uryu, and M. Watanabe, Jpn. J. Appl. Phys. 52, 04CJ07 (2013).

Terms in the title (8)： Si ,  成長 ,  CaF2 ,  多層 ,  ヘテロ構造 ,  障壁 ,  トンネルダイオード ,  分析