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J-GLOBAL ID：201502259144704366   Reference number：15A0505613

反応支援型ミストCVD法により低温成長した酸化アルミニウム(AlO_x)薄膜のパッシベーション応用特性

Author (5)： UCHIDA TAKAYUKI (京大 大学院) ,  KAWAHARAMURA TOSHIYUKI (高知工大 総研) ,  FUJITA SHIZUO (京大 大学院) ,  HIRAMATSU TAKAHIRO (東芝三菱電機産業システム) ,  ORITA HIROYUKI (東芝三菱電機産業システム)
Material： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
Volume： 62nd  Page： ROMBUNNO.11A-C2-6  Publication year： Feb. 26, 2015 
JST Material Number： Y0054B  ISSN： 2436-7613  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *solar cell ,  *aluminum oxide ,  passivation ,  chemical vapor deposition ,  oxide ,  thin film ,  electric charge ,  heat treatment ,  electrostatic capacity ,  *passive state film
Semi thesaurus term： silicon solar cell ,  passivation ,  mist CVD ,  fixed charge ,  oxide thin film ,  passivation film

JST classification (1)： Solar cell  (NC03084O)

Terms in the title (7)： 支援 ,  ミストCVD法 ,  低温成長 ,  酸化アルミニウム ,  薄膜 ,  パッシベーション ,  応用