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J-GLOBAL ID：201502295218488292   Reference number：15A0458258

Analytical formulation of interfacial SiO₂ scavenging in HfO₂/SiO₂/Si stacks

HfO₂/SiO₂/SiゲートスタックにおけるSiO₂スカベンジング現象の定式化

Author (5)： LI Xiuyan (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  YAJIMA Takeaki (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  NISHIMURA Tomonori (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  NAGASHIO Kosuke (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  TORIUMI Akira (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
Material： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
Volume： 114  Issue： 421(SDM2014 135-146)  Page： 1-4  Publication year： Jan. 20, 2015 
JST Material Number： S0532B  ISSN： 0913-5685  Document type： Proceedings
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *hafnium oxide ,  *silicon dioxide ,  *cleaning(purification) ,  dynamic characteristic ,  vacancy ,  boundary layer ,  dielectric material ,  reaction-diffusion system
Semi thesaurus term： *gate stack ,  *silicon dioxide ,  interface layer ,  diffusion-reaction system ,  high-k material ,  oxygen vacancy

JST classification (1)： Semiconductor integrated circuit  (NC03162T)

Reference (8)：

• V. Misra, G. P. Beuss, and H. Zhong, "Use of metal-oxide-semiconductor capacitors,"Appl. Phys. Lett., vol. 78, pp. 4166-4168, 2001.
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• T. Ando," Ultimate Scaling of High-k Gate Dielectrics:" Materials, vol. 5 pp. 478-500, 2012.
• A. Nichau, A. Schafer, L. Knoll, S. Wirths, T. Schram, L. Ragnarsson, and et al, "Reduction of silicon dioxide interfacial layer," Microelectronic Engineering, pp., 109 -112, 2013.
• X. Li, T. Yajima, T. Nishimura, K. Nagashio, A. Toriumi, "HfO₂-assited interfacial SiO₂ reduction, " Thin Solid Films, vol. 557, pp. 272-275, 2014.

Terms in the title (6)： HfO2 ,  SiO2 ,  Si ,  ゲートスタック ,  現象 ,  定式化