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J-GLOBAL ID：201503002008965176

非接触電力伝送及び通信システム

Inventor：
若生 直樹

About 若生 直樹


Applicant, Patent owner：
NECトーキン株式会社

About NECトーキン株式会社


Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2014106127
Publication number (International publication number)：2014187873
Patent number：5743357
Application date： May. 22, 2014
Publication date： Oct. 02, 2014
Claim (excerpt)：
【請求項1】 第1のコイルを有する送信側装置と、前記第1のコイルに電磁結合可能な第2のコイルを有する受信側装置とを備え、前記第1のコイルと前記第2のコイル間の電磁結合を介して、前記送信側装置から前記受信側装置への非接触の電力伝送と、前記送信側装置と前記受信側装置間でのデータ信号の通信とを行う非接触電力伝送及び通信システムにおいて、前記受信側装置は、前記データ信号を受信および送信する通信回路と、前記通信回路と前記第2のコイルとを接続する入力接続回路と、前記第2のコイルにより受電した電力が充電される二次電池と、前記二次電池に充電するための受電回路とを備え、 前記入力接続回路は前記第2のコイルに発生する電圧に応じて動作するMOSFET半導体スイッチを備え、 前記通信回路は、少なくとも、前記データ信号が入力されるデータ読取端子、前記データ信号が出力されるデータ送信端子、およびグランドに接続された接地端子を有し、前記データ読取端子、前記データ送信端子および前記接地端子は前記入力接続回路に接続され、 前記入力接続回路の前記データ読取端子に直接、またはコンデンサまたはインダクタを介して接続される信号ラインとグランド間、および前記入力接続回路の前記データ送信端子に直接、またはコンデンサまたはインダクタを介して接続される信号ラインと前記グランド間には、前記MOSFET半導体スイッチが挿入され、 前記MOSFET半導体スイッチの動作によって前記通信回路に印加される電圧が変化することを特徴とする非接触電力伝送及び通信システム。
IPC (2)：
H02J 17/00 ( 200 6.01) ,  H01M 10/46 ( 200 6.01)
FI (3)：
H02J 17/00 B ,  H02J 17/00 X ,  H01M 10/46
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (4)
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Cited by examiner (12)
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