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J-GLOBAL ID：201503004470227477

二ホウ化マグネシウム薄膜の製造方法

Inventor： 柴田 浩行 ,  赤崎 達志 ,  都倉 康弘
Applicant, Patent owner： 日本電信電話株式会社
Agent (1)： 特許業務法人 谷・阿部特許事務所
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2012168301
Publication number (International publication number)：2014024734
Patent number：5819788
Application date： Jul. 30, 2012
Publication date： Feb. 06, 2014
Claim (excerpt)：

【請求項1】 膜厚50nm以下のMgB2薄膜の作製方法であって、 MBE法によりMgB2薄膜を作製する工程と、 MBE成長したMgB2薄膜上に保護膜を成長させる工程と、 前記MBE成長したMgB2薄膜にラピッドアニールを加える工程と を備え、前記ラピッドアニールは、50°C/min以上の速度で昇温・降温し、前記ラピッドアニールのアニール温度は、300-500°Cの範囲内にあり、前記ラピッドアニールの保持時間は、1-2分の範囲内にあり、前記保護膜は、酸化アルミニウム(Al2O3)、または酸化シリコン(SiO2)、または窒化アルミニウム(AlN)のいずれかであることを特徴とするMgB2薄膜の作製方法。

IPC (8)：

C30B 29/10 ( 200 6.01) ,  C30B 23/08 ( 200 6.01) ,  C30B 33/02 ( 200 6.01) ,  H01L 39/24 ( 200 6.01) ,  H01B 13/00 ( 200 6.01) ,  H01B 12/06 ( 200 6.01) ,  C01B 35/04 ( 200 6.01) ,  C01G 1/00 ( 200 6.01)

FI (8)：

C30B 29/10 ,  C30B 23/08 M ,  C30B 33/02 ,  H01L 39/24 B ,  H01B 13/00 565 Z ,  H01B 12/06 ZAA ,  C01B 35/04 C ,  C01G 1/00 S

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

• キャップメルト薄膜の作製方法、及びこの方法を用いたMgB2超伝導薄膜の作製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-363818   Applicant：独立行政法人科学技術振興機構
• 超伝導材
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2007-273062   Applicant：国立大学法人鹿児島大学, 独立行政法人物質・材料研究機構

Cited by examiner (2)

• キャップメルト薄膜の作製方法、及びこの方法を用いたMgB2超伝導薄膜の作製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-363818   Applicant：独立行政法人科学技術振興機構
• 超伝導材
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2007-273062   Applicant：国立大学法人鹿児島大学, 独立行政法人物質・材料研究機構