RE123結晶膜作成方法。

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：田邊義博
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2014092661
Publication number (International publication number)：2015209363
Application date： Apr. 28, 2014
Publication date： Nov. 24, 2015
Summary：

【課題】従来の気相成長法に比して低温かつ高速成膜可能であって真空環境を必要としないRE123結晶膜作成方法を提供すること。【解決手段】希土類系銅酸化物高温超伝導体REBa2Cu3Oy(ただし、REは希土類元素を表し、yは6〜7を表す。)を基板上に膜成長させる方法であって、RE:Ba:Cuの組成比が1:2〜3:2〜7の間となる様に調整した原料を、溶融させた水酸化に溶解させること(溶融水酸化物法)で、500°Cを越え700°C未満の還元雰囲気下において基板上にREBa2Cu3Oyを膜成長させることを特徴とする結晶膜作成方法である。【選択図】図2

Claim (excerpt)：

希土類系銅酸化物高温超伝導体REBa2Cu3Oy(ただし、REは希土類元素を表し、yは6〜7を表す。)を基板上に膜成長させる方法であって、 RE:Ba:Cuの組成比が1:2〜3:2〜7の間となる様に調整した原料を、500°Cを越え700°C未満の還元雰囲気下において、溶融した水酸化物に溶解させ、基板上にREBa2Cu3Oyを膜成長させることを特徴とする結晶膜作成方法。

IPC (4)：

C01G 3/00 , C01G 1/00 , H01B 13/00 , H01B 12/06

FI (4)：

C01G3/00 , C01G1/00 S , H01B13/00 565D , H01B12/06

F-Term (14)：

4G047JA03 , 4G047JC02 , 4G047KD09 , 5G321AA02 , 5G321AA04 , 5G321BA01 , 5G321BA07 , 5G321CA04 , 5G321CA21 , 5G321CA24 , 5G321CA27 , 5G321CA28 , 5G321DB28 , 5G321DB47

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (10)

特開平2-009793
単一電子トンネルトランジスタ素子の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-074838 Applicant：富士電機株式会社
蒸着薄膜の作製法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-127495 Applicant：三菱化成株式会社

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Article cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

溶融水酸化物法を用いたREBa2Cu4O7-δの合成と生成温度領域の検証
溶融水酸化物法を用いたREBa2Cu3O7-δの希土類(RE)置換と物性評価

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