水素結合形成アミド基を持つキラル二環式ジエン配位子

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2014066957
Publication number (International publication number)：2015172024
Application date： Mar. 11, 2014
Publication date： Oct. 01, 2015
Summary：

【課題】水素結合の形成に寄与するtert-ブチルアミド基を持つキラル二環式ジエン配位子、及びより効率的に光学活性物質を得るためのキラル遷移金属錯体を提供。【解決手段】式(1)で表されるキラル二環式ジエン配位子、及び式(2)で表される反応式で精製されるキラル後周期遷移金属錯体。(R1〜R3はH、アルキル基、又はアルコキシ基;nは0又は1のメチレン鎖;Mは後周期遷移金属種;Lは式(1)の配位子と交換が可能な配位子)【選択図】なし

Claim (excerpt)：

下記式(1)で示された、水素結合の形成に寄与するtert-ブチルアミド基を持つキラル二環式ジエン誘導体。

IPC (2)：

C07C 233/58 , B01J 31/22

FI (2)：

C07C233/58 , B01J31/22 Z

F-Term (35)：

4G169AA06 , 4G169BA27A , 4G169BA27B , 4G169BB02A , 4G169BB02B , 4G169BC69A , 4G169BC71B , 4G169BE01A , 4G169BE01B , 4G169BE03A , 4G169BE03B , 4G169BE13A , 4G169BE13B , 4G169BE19A , 4G169BE19B , 4G169BE36A , 4G169BE36B , 4G169CB25 , 4G169CB57 , 4G169CB66 , 4G169DA02 , 4H006AA01 , 4H006AA03 , 4H006AB40 , 4H006AB82 , 4H006AC81 , 4H006BA24 , 4H006BA46 , 4H006BJ30 , 4H006BV34 , 4H006BV62 , 4H050AA01 , 4H050AB40 , 4H050WB11 , 4H050WB21

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

特開昭58-110550

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

Show all

Return to Previous Page