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J-GLOBAL ID：201503011711982766

薄膜形成方法、及び、薄膜形成装置

Inventor：
原田 豪繁

About 原田 豪繁

, 
高田 奨

About 高田 奨


Applicant, Patent owner：
東京エレクトロン株式会社

About 東京エレクトロン株式会社


Agent (1)： 木村 満
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2014065142
Publication number (International publication number)：2015188028
Application date： Mar. 27, 2014
Publication date： Oct. 29, 2015
Summary：
【課題】良好な薄膜を形成することができる薄膜形成方法、及び、薄膜形成装置を提供する。【解決手段】薄膜形成方法は、第1成膜工程とアニール工程と第2成膜工程とを備えている。第1成膜工程は、被処理体に有機金属化合物を吸着させる吸着ステップと、被処理体に吸着した有機金属化合物に第1酸化剤を供給して酸化させ、薄膜を形成する酸化ステップと、を複数回繰り返す。アニール工程は、反応室内を所定の温度に加熱した状態で第1酸化剤より酸化力の強い第2酸化剤を供給する。第2成膜工程は、第1成膜工程で形成された薄膜に有機金属化合物を吸着させる吸着ステップと、第1成膜工程で形成された薄膜に吸着した有機金属化合物に第2酸化剤を供給して酸化させ、薄膜を形成する酸化ステップと、を複数回繰り返す。【選択図】図3
Claim (excerpt)：
被処理体を収容する反応室内を所定の温度に加熱した状態で有機金属化合物ガスを供給して前記被処理体に有機金属化合物を吸着させる吸着ステップと、前記反応室内を所定の温度に加熱した状態で第1酸化剤を供給して前記被処理体に吸着した有機金属化合物を酸化させて薄膜を形成する酸化ステップと、を複数回繰り返す第1成膜工程と、 前記第1成膜工程終了後に、前記反応室内を所定の温度に加熱した状態で前記第1酸化剤より酸化力の強い第2酸化剤を供給するアニール工程と、 前記アニール工程後に、前記反応室内を所定の温度に加熱した状態で前記有機金属化合物ガスを供給して前記第1成膜工程で形成された薄膜に有機金属化合物を吸着させる吸着ステップと、前記反応室内を所定の温度に加熱した状態で前記第2酸化剤を供給して前記第1成膜工程で形成された薄膜に吸着した有機金属化合物を酸化させて薄膜を形成する酸化ステップと、を複数回繰り返す第2成膜工程と、 を備える、ことを特徴とする薄膜形成方法。
IPC (2)：
H01L 21/316 ,  C23C 16/40
FI (2)：
H01L21/316 X ,  C23C16/40
F-Term (23)：
4K030AA11 ,  4K030AA14 ,  4K030BA10 ,  4K030BA22 ,  4K030BA42 ,  4K030BA43 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030DA09 ,  4K030FA10 ,  4K030HA01 ,  4K030JA10 ,  4K030KA41 ,  4K030LA15 ,  5F058BA20 ,  5F058BC03 ,  5F058BF04 ,  5F058BF06 ,  5F058BF27 ,  5F058BF29 ,  5F058BF36 ,  5F058BG01 ,  5F058BJ01
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (2)

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